[发明专利]一种大功率白光LED及其封装方法在审
申请号: | 201410774106.7 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN104505449A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 叶尚辉;陈明秦;张数江 | 申请(专利权)人: | 福建中科芯源光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/58;H01L25/075 |
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地址: | 350001 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 白光 led 及其 封装 方法 | ||
1.一种大功率白光LED,其特征在于:包括COB芯片模组、透明陶瓷荧光盖片、高透明填充介质和反光杯;所述COB芯片模组是封装有多颗蓝光LED芯片的线路基板;所述COB芯片模组位于反光杯的底部;所述透明陶瓷荧光盖片位于COB芯片模组上方并通过密封粘胶固定于反光杯上,且该透明陶瓷荧光盖片为由化学液相法制得稀土掺杂YAG前驱体后烧制而成的荧光透明陶瓷材料或荧光透明玻璃陶瓷材料制得的盖片;所述高透明填充介质填满透明陶瓷荧光盖片与COB芯片模组之间的空腔;所述COB芯片模组的正负极分别与外接正负电极电连接。
2.根据权利要求1所述的一种大功率白光LED,其特征在于:所述透明陶瓷荧光盖片的顶面半径小于底面半径,且侧面为弧形面。
3.根据权利要求1所述的一种大功率白光LED,其特征在于:所述COB芯片模组的线路基板为Al2O3宝石衬底、SiC衬底或Si衬底;所述蓝光LED芯片是直接生长在所述Al2O3宝石衬底、SiC衬底或Si衬底上,或是在上述三种衬底中的任意一种上生长后被转移封装的蓝光芯片。
4.根据权利要求1或3所述的一种大功率白光LED,其特征在于:所述COB芯片模组上封装的蓝光LED芯片按阵列结构排列,且通过串联、并联或混联连接,相邻蓝光LED芯片的间距为3.0~5.0mm。
5.根据权利要求4所述的一种大功率白光LED,其特征在于:所述COB芯片模组中的线路基板为为方形、椭圆形或圆形。
6.根据权利要求1所述的一种大功率白光LED,其特征在于:所述高透明填充介质为有高透明机硅类材料,且其折射率在1.5~1.7。
7.一种大功率白光LED的封装方法,其特征在于:包括
a. COB芯片模组制作:将多颗蓝光LED芯片用COB工艺键合固定在高导热的线路基板上,形成COB芯片模组;
b.内外电连接:通过导线将COB芯片模组的正负极与外接正负电极电连接;
c. COB芯片模组定位:COB芯片模组置入反光杯底部,再用高透明填充介质灌平该COB芯片模组表面;
d. 透明陶瓷荧光盖片密封:将透明陶瓷荧光盖片的底面预涂少量的高透明有机硅后,于烘箱中初步固化后贴合在所述高透明填充介质的表面,同时用密封粘胶填充透明陶瓷荧光盖片与反光杯内壁之间的空隙形成密封,后进行深度烘烤固化;其中,该透明陶瓷荧光盖片为由化学液相法制得稀土掺杂YAG前驱体后烧制而成的荧光透明陶瓷材料或荧光透明玻璃陶瓷材料制得的盖片。
8.根据权利要求7所述的一种大功率白光LED的封装方法,其特征在于:所述步骤a中,蓝光LED芯片通过固晶胶或共晶焊接方式键合固定于线路基板上。
9.根据权利要求7所述的一种大功率白光LED的封装方法,其特征在于:所述步骤d中,初步固化效果以透明陶瓷荧光盖片底面的透明有机硅胶不沾手为准;所述深度烘烤的温度为140~150℃,烘烤时间为2~4小时。
10.根据权利要求8所述的一种大功率白光LED的封装方法,其特征在于:
所述透明陶瓷荧光盖片的顶面半径小于底面半径,且侧面为弧形面;
所述高透明填充介质为有高透明机硅类材料,且其折射率在1.5~1.7;
所述COB芯片模组上的蓝光LED芯片按阵列结构排列,并通过串联、并联或混联连接,且相邻芯片间距为3.0~5.0mm;所述COB芯片模组中的线路基板为方形、椭圆形或圆形。
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