[发明专利]一种薄膜晶体管低温多晶硅薄膜制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管低温多晶硅薄膜制备方法，应用于倒栅结构的薄膜晶体管中，其特征在于，所述方法包括：

在预先镀有TFT金属栅极的玻璃基板上依次沉积隔离层、非晶硅层和抗反射保温层；

利用构图工艺在抗反射保温层上涂覆光刻胶，并利用TFT金属栅极进行掩膜曝光并显影；

对非沟道区的抗反射保温层进行刻蚀，并对光刻胶进行脱膜处理，以使沟道区域处的非晶硅层上有抗反射保温层，而非沟道区域处的非晶硅层上无抗反射保温层；

进行激光照射，利用沟道区与非沟道区有无抗反射保温层的差别构建温度梯度，实现晶粒非沟道区域到沟道区域的人工控制超级横向成长，从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层、所述抗反射保温层包括二氧化硅薄膜、或氮化硅薄膜或两种薄膜的组合；

所述抗反射保温层的厚度为所述激光的1/4波长的奇数倍；

所述抗反射保温层延长非晶硅晶化的超级冷却时间，起保温作用。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离层、所述非晶硅层和所述抗反射保温层采用PECVD方法来制备；

若所述抗反射保温层为二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜的制备方法还包括臭氧溶液清洗法、氧气环境中激光照射法和氧气环境中加热法。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用构图工艺在抗反射保温层上涂覆光刻胶，并利用TFT金属栅极进行掩膜曝光并显影的步骤包括：

利用构图工艺在抗反射保温层上涂覆正性光刻胶，并进行紫外线曝光并显影。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行激光照射，利用沟道区与非沟道区有无抗反射保温层的差别构建温度梯度，实现晶粒非沟道区域到沟道区域的人工控制超级横向成长，从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅的步骤，包括：

采用准分子激光退火方式进行激光照射，利用沟道区与非沟道区有无抗反射保温层的差别构建温度梯度，实现晶粒非沟道区域到沟道区域的人工控制超级横向成长，从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅。

6.一种薄膜晶体管低温多晶硅薄膜制备方法，应用于顶栅结构的薄膜晶体管中，其特征在于，所述方法包括：

在玻璃基板上依次沉积隔离层、非晶硅层和抗反射保温层；

利用构图工艺在抗反射保温层上涂覆光刻胶，并利用TFT栅极掩膜板进行掩膜曝光并显影；

对非沟道区的抗反射保温层进行刻蚀，并对光刻胶进行脱膜处理，以使沟道区域处的非晶硅层上有抗反射保温层，而非沟道区域处的非晶硅层上无抗反射保温层；

进行激光照射，利用沟道区与非沟道区有无抗反射保温层的差别构建温度梯度，实现晶粒非沟道区域到沟道区域的人工控制超级横向成长，从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述隔离层、所述抗反射保温层包括二氧化硅薄膜、或氮化硅薄膜或两种薄膜的组合；

所述抗反射保温层的厚度为所述激光的1/4波长的奇数倍；

所述抗反射保温层延长非晶硅晶化的超级冷却时间，起保温作用。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述隔离层、所述非晶硅层和所述抗反射保温层采用PECVD方法来制备；

若所述抗反射保温层为二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜的制备方法还包括臭氧溶液清洗法、氧气环境中激光照射法和氧气环境中加热法。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述利用构图工艺在抗反射保温层上涂覆光刻胶，并利用TFT栅极掩膜板进行掩膜曝光并显影的步骤包括：

若曝光区域为沟道区域，则涂覆负性光刻胶，并进行紫外线曝光并显影；

若曝光区域为非沟道区域，则涂覆正性光刻胶，并进行紫外线曝光并显影。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述进行激光照射，利用沟道区与非沟道区有无抗反射保温层的差别构建温度梯度，实现晶粒非沟道区域到沟道区域的人工控制超级横向成长，从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅的步骤，包括：

采用准分子激光退火方式进行激光照射，利用沟道区与非沟道区有无抗反射保温层的差别构建温度梯度，实现晶粒非沟道区域到沟道区域的人工控制超级横向成长，从而将沟道区的非晶硅转变为大尺寸多晶硅。