[发明专利]适宜使用RF组件的硅衬底，此类硅衬底形成的RF组件

权利要求书

1.一种硅衬底，其包括通过Czochralski方法形成的硅结构，并具有沉积在硅结构上的载流子寿命时间杀灭层。

2.如权利要求1所述的硅衬底，其中，所述硅结构具有约3000至30000Ω厘米的电阻率。

3.如权利要求1所述的硅衬底，其中，所述载流子寿命杀灭层是多晶硅层。

4.如权利要求3所述的硅衬底，其中，所述多晶硅的厚度在10至1000nm之间。

5.如权利要求3所述的硅衬底，其中，所述多晶硅是未掺杂的或基本上未掺杂。

6.如权利要求1所述的硅衬底，进一步包括：形成在所述载流子寿命杀灭层上的射频组件。

7.如权利要求6所述的硅衬底，其中，所述射频组件包括微机械加工的机电开关。

8.如权利要求7所述的硅衬底，其中，所述开关被形成在电介质层中。

9.如权利要求8所述的硅衬底，其中，该介电层为50nm和10000nm厚之间。

10.一种硅衬底，包括如权利要求6请求的射频组件，其中，所述射频组件是传输线、滤波器、信号组合器、信号分离器、RLC网络和定向耦合器中的至少一个。

11.提供半导体衬底用于形成在超过1GHz运行的组件的方法，包括：在由CZ处理形成的晶片上形成载流子寿命时间杀灭层。

12.如权利要求11所述的方法，其中，形成载流子寿命时间杀灭层包括在退火步骤之前在半导体衬底上沉积层基本上未掺杂的多晶硅。

13.一种制造设备的方法，包括：在半导体衬底上形成电子部件，其中所述衬底由CZ法形成，并在所述衬底上具有载流子寿命时间杀灭层。

14.一种形成如权利要求13所述的设备的方法，其中所述电子部件包括RF MEMS开关、传输线、滤波器、信号组合器、信号分离器、RLC网络或定向耦合器。

15.具有形成在其上的多晶硅层的硅衬底。

16.如权利要求15所述的硅衬底，其中，所述硅衬底是浮区硅。

17.如权利要求15所述的硅衬底，其中，所述硅衬底是Czochralski硅。

18.如权利要求15所述的硅衬底，还包括形成在所述载流子寿命杀灭层上的射频组件。