[发明专利]一种GaN基LED外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410777943.5 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104393130A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述GaN基LED外延结构依次包括：
衬底；
位于衬底上的GaN成核层；
位于GaN成核层上的超晶格缓冲层，所述超晶格缓冲层为由若干对AlGaN缓冲层/AlN缓冲层/GaN缓冲层交替堆叠组成的超晶格结构；
位于超晶格缓冲层上的非掺杂GaN层；
位于非掺杂GaN层上的N型GaN层；
位于N型GaN层上的多量子阱发光层；
位于多量子阱发光层上方的P型GaN层。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层为由2～10对AlGaN缓冲层/AlN缓冲层/GaN缓冲层交替堆叠组成的超晶格结构。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层的总厚度为10nm～40nm。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层中，AlGaN缓冲层的总厚度为5nm～25nm，AlN缓冲层的总厚度为1nm～5nm，GaN缓冲层的总厚度为2nm～15nm。
5.根据权利要求4所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述AlGaN缓冲层中的Al组份含量为10％-50％。
6.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述P型GaN层上方还包括P型GaN接触层。
7.一种GaN基LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
S1、提供一衬底；
S2、在衬底上生长GaN成核层；
S3、在GaN成核层上生长超晶格缓冲层，所述超晶格缓冲层为由若干对AlGaN缓冲层/AlN缓冲层/GaN缓冲层交替堆叠组成的超晶格结构；
S4、在超晶格缓冲层上生长非掺杂GaN层；
S5、在非掺杂GaN层上生长N型GaN层；
S6、在N型GaN层上生长多量子阱发光层；
S7、在多量子阱发光层上生长P型GaN层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中AlGaN缓冲层和AlN缓冲层的生长温度为500℃～800℃。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中GaN缓冲层的生长温度比AlGaN缓冲层和AlN缓冲层的生长温度高10℃～30℃。
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