[发明专利]半导体元件、制作方法及其堆叠结构

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

基板，具有相对的第一表面、第二表面以及多个开孔，其中该些开孔分 别连接该第一表面与该第二表面；

重布线路层，配置于该第一表面上；

多个直通硅晶穿孔，配置于该些开孔内，并且分别具有相对的第一端与 第二端，其中每一该些直通硅晶穿孔的该第一端连接至该重布线路层，而该 第二端突出于该第二表面上；

电镀籽晶层，配置于每一该些开孔的孔壁与对应的该些直通硅晶穿孔之 间；

防氧化层，配置于该电镀籽晶层与对应的该些直通硅晶穿孔之间，并且 部分的该防氧化层覆盖对应的该些直通硅晶穿孔的该第二端；以及

缓冲层，配置于该基板上，并覆盖该第一表面，且暴露出该重布线路层。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电镀籽晶层包括钛铜复合 层，其中该钛铜复合层包括钛层及铜层。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该防氧化层包括金层。

4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括黏着层，配置于该电镀籽晶 层与该防氧化层之间，其中该黏着层为镍层。

5.如权利要求1所述的半导体元件，还包括介电层，配置于该第二表面 上以及各该些直通硅晶穿孔的该第二端上。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该重布线路层具有第三表面， 而该缓冲层具有第四表面，并且该第三表面与该第四表面相互齐平。

7.一种半导体元件的制作方法，包括：

提供一基板，其中该基板具有第一表面以及多个开孔；

形成一电镀籽晶层于该第一表面上以及该些开孔的孔壁；

形成一防氧化层于该电镀籽晶层上；

形成多个直通硅晶穿孔于对应的该些开孔中，其中该些直通硅晶穿孔分 别具有位于第一表面上的第一端，以及相对于该第一端的第二端；

形成一重布线路层于该第一表面上，其中每一该些直通硅晶穿孔的该第 一端连接至该重布线路层；

薄化该基板相对于该第一表面的背侧，薄化后的该基板具有相对于该第 一表面的一第二表面，并且每一该些直通硅晶穿孔的该第二端突出于该第二 表面；以及

形成一介电层于该第二表面及每一该些直通硅晶穿孔的该第二端上。

8.如权利要求7所述的半导体元件的制作方法，还包括在形成该防氧化 层之前，形成一图案化光致抗蚀剂层于该第一表面上，并且于形成该重布线 路层之后，移除该图案化光致抗蚀剂层。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制作方法，还包括在移除该图案化 光致抗蚀剂层之后，蚀刻该电镀籽晶层。

10.如权利要求9所述的半导体元件的制作方法，还包括在蚀刻该电镀 籽晶层之后，在该第一表面上形成一缓冲层。

11.如权利要求10所述的半导体元件的制作方法，还包括在形成该缓冲 层之后，以机械研磨的方式移除部分的该缓冲层，以暴露出一部分的该重布 线路层，其中该重布线路层具有第三表面，且该缓冲层具有第四表面，该第 三表面与该第四表面相互齐平。

12.如权利要求11所述的半导体元件的制作方法，还包括经由该第三表 面与该第四表面将该基板贴附于一载板上，并且于形成该介电层于该第二表 面后，移除该载板。

13.如权利要求7所述的半导体元件的制作方法，其中该电镀籽晶层包 括钛铜复合层，其中该钛铜复合层包括钛层与铜层。

14.如权利要求7所述的半导体元件的制作方法，其中该防氧化层包括 金层。

15.如权利要求7所述的半导体元件的制作方法，还包括形成一黏着层 于该电镀籽晶层与该防氧化层之间，其中该黏着层为一镍层。