[发明专利]整合式毫米波芯片封装结构

权利要求书

1.一种整合式毫米波芯片封装结构，包括：

中介层结构，其中该中介层结构包括第一金属层、第二金属层、位于该第一、第二金属层之间的绝缘支撑层，且该中介层结构包括至少一第一电镀通孔结构，贯穿该第一金属层、该绝缘支撑层以及该第二金属层，并电连接该第一金属层以及该第二金属层；

至少一芯片，连结至该中介层结构，其中该芯片具有有源面以及位于该有源面上的接触垫；以及

基板，连结至该中介层结构，其中该基板至少包括一绝缘层与位于绝缘层上的第三金属层，该第三金属层位于该基板朝向该中介层结构的一侧；该中介层结构的该第一金属层至少包括一天线图案，该天线图案位于该芯片的上方或下方，该芯片通过该中介层结构的该第一电镀通孔结构电连接该天线图案，并且该芯片与该基板通过该第二金属层以及位于该第二金属层与该第三金属层之间的凸块达到电连接。

2.如权利要求1所述的整合式毫米波芯片封装结构，其中该基板具有下凹式晶穴，该芯片内埋于该下凹式晶穴而该芯片的该有源面朝向该中介层结构的该第二金属层，该芯片通过位于该接触垫与该第二金属层之间的凸块物理性连结至该中介层结构，并且该芯片通过该凸块以及该第一电镀通孔结构电连接该天线图案。

3.如权利要求1所述的整合式毫米波芯片封装结构，其中该基板具有开口，露出该芯片，该芯片的该有源面朝向该中介层结构的该第二金属层，该芯片通过位于该接触垫与该第二金属层之间的凸块物理性连结至该中介层结构，并且该芯片通过该凸块以及该第一电镀通孔结构电连接该天线图案。

4.如权利要求2所述的整合式毫米波芯片封装结构，其中该整合式毫米波芯片封装结构的该基板还包括第四金属层与第二电镀通孔结构，该第四金属层位于该绝缘层相对于该第三金属层的另一面，该第二电镀通孔结构贯穿该基板而连接该绝缘层两侧的该第三金属层与该第四金属层。

5.如权利要求3所述的整合式毫米波芯片封装结构，其中该整合式毫米波芯片封装结构的该基板还包括第四金属层与第二电镀通孔结构，该第四金属层位于该绝缘层相对于该第三金属层的另一面，该第二电镀通孔结构贯穿该基板而连接该绝缘层两侧的该第三金属层与该第四金属层。

6.如权利要求4所述的整合式毫米波芯片封装结构，其中该整合式毫米波芯片封装结构还包括另一基板连结至该基板，该另一基板包括置于该基板与该另一基板之间的焊球，该另一基板通过该焊球使该基板与该另一基板物理性连结且电性相连。

7.如权利要求5所述的整合式毫米波芯片封装结构，其中该整合式毫米波芯片封装结构还包括另一基板连结至该基板，该另一基板包括置于该基板与该另一基板之间的焊球，该另一基板通过该焊球使该基板与该另一基板物理性连结且电性相连。

8.如权利要求2所述的整合式毫米波芯片封装结构，其中该整合式毫米波芯片封装结构还包括另一中介层结构与多个凸块，该另一中介层结构包括至少一第三电镀通孔结构贯穿该另一中介层结构，该另一中介层结构位于该芯片与该中介层结构之间，且该芯片通过该些凸块连结至该另一中介层结构，该另一中介层结构再通过该些凸块连结至该中介层结构，通过该些凸块与该第一、第三电镀通孔结构使该芯片、该中介层结构与该另一中介层结构物理性连结且电性相连。

9.如权利要求3所述的整合式毫米波芯片封装结构，其中该整合式毫米波芯片封装结构还包括另一中介层结构与多个凸块，该另一中介层结构包括至少一第三电镀通孔结构贯穿该另一中介层结构，该另一中介层结构位于该芯片与该中介层结构之间，且该芯片通过该些凸块连结至该另一中介层结构，该另一中介层结构再通过该些凸块连结至该中介层结构，通过该些凸块与该第一、第三电镀通孔结构使该芯片、该中介层结构与该另一中介层结构物理性连结且电性相连。