[发明专利]单层基板封装工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体生产中的加工工艺，特别是一种单层基板封装工艺。

背景技术

传统的单层基板制造过程中，如图1所示，焊盘1直接电镀在铜箔2’上，然后在焊盘1周围压合玻璃纤维3。这种结构，焊盘1底部在封装蚀刻工艺(腐蚀掉铜箔层)之后，会全部露出，只有焊盘1两侧的铜柱与玻璃纤维3结合。当焊盘1受到外力撞击时，焊盘1极容易连带着焊球4脱落(如图2、图3所示)。

发明内容

在下文中给出关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。

本发明的一个主要目的在于提供一种单层基板封装工艺，可以至少一定程度上避免焊球脱落时，焊盘随之脱落的情况发生。

根据本发明的一方面，一种单层基板封装工艺，包括：

在压合铜箔的上表面形成焊盘下部；

在相邻的焊盘下部之间压合第一玻璃纤维层；

在所述焊盘下部上同轴形成焊盘上部，所述焊盘上部的截面积大于所述焊盘下部的截面积；

将所述压合铜箔蚀刻露出铜柱，使得焊盘下表面完全外露。

采用本发明的单层基板封装工艺，增加了焊盘在受到焊球传递来的拉力或推力时的阻力，可有效地防止焊盘脱落。

附图说明

参照下面结合附图对本发明实施例的说明，会更加容易地理解本发明的以上和其它目的、特点和优点。附图中的部件只是为了示出本发明的原理。在附图中，相同的或类似的技术特征或部件将采用相同或类似的附图标记来表示。

图1为现有的单层基板封装结构的示意图；

图2、图3为现有的单层基板封装结构焊盘脱落过程的示意图；

图4为本发明的单层基板封装工艺的一种实施方式的流程图；

图5为依照本发明的单层基板封装工艺得到的单层基板封装结构的一种实施方式的示意图。

具体实施方式

下面参照附图来说明本发明的实施例。在本发明的一个附图或一种实施方式中描述的元素和特征可以与一个或更多个其它附图或实施方式中示出的元素和特征相结合。应当注意，为了清楚的目的，附图和说明中省略了与本发明无关的、本领域普通技术人员已知的部件和处理的表示和描述。

图4为本发明的单层基板封装工艺的一种实施方式的流程图。

在本实施方式中，单层基板封装工艺可以包括：

S10:在压合铜箔2’的上表面形成焊盘下部。

S20:在相邻的焊盘下部之间压合第一玻璃纤维层3’。

S30:在焊盘下部上同轴形成焊盘上部，焊盘上部的截面积大于焊盘下部的截面积。例如，可以在焊盘下部的上表面焊接或电镀形成焊盘上部。

S40:将压合铜箔2’蚀刻露出铜柱，使得焊盘下表面完全外露。

在一种实施方式中，步骤S20可以具体包括：

S21:将第一玻璃纤维层3’压合在相邻焊盘的焊盘下部之间。

优选地，单层基板封装工艺还可以包括：

S50:在与焊盘1下表面相对的焊盘1上表面周围与相邻焊盘1的焊盘上部之间压合玻璃纤维3。

作为一种实施方式，在步骤S30之后还可以包括：

S60:在焊盘1下表面植入锡球(图中未示出)。

作为一种实施方式，单层基板封装工艺还可以包括：

S70:在焊盘1上表面设置用于与外部装置连接的连接部5。例如，可以在焊盘上开设用于与芯片6连接的通孔。

图5为采用本发明的单层基板封装工艺得到的单层基板封装结构的一种实施方式的示意图。

在本实施方式中，单层基板封装结构包括焊盘1、铜柱和第一玻璃纤维层3’。

第一玻璃纤维层3’压合于铜柱上的多个焊盘之间，用于使焊盘1与铜柱的相对位置固定。

在多个焊盘1之间形成第一玻璃纤维层3’，可以使得焊盘1之间形成类似“过盈配合”的配合效果。这样一来，当焊盘受到外力作用时，第一玻璃纤维层3’可以在一定范围内保证焊盘1和铜柱的相对位置固定。

与图1所示的现有技术相似，铜柱为压合铜箔2’蚀刻所得。焊盘1形成于压合铜箔2’的上表面，且焊盘1的下表面与压合铜箔2’的上表面紧密接合。

铜柱为蚀刻压合铜箔2’使得焊盘1下表面完全外露之后的剩余部分。

在一种实施方式中，焊盘1包括同轴上下叠置的焊盘上部和焊盘下部；