[发明专利]模拟开关与用于控制模拟开关的方法在审
申请号: | 201410779691.X | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN104716939A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | D·埃亨 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 百慕大群岛;BM |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模拟 开关 用于 控制 方法 | ||
1.一种模拟开关,调节其开关晶体管的电压以满足所期望的开关状态,包括:
具有源极、漏极与栅极的P型第一晶体管;
具有源极、漏极与栅极的N型第二晶体管,其中所述第二晶体管的所述源极在第一节点耦合到所述第一晶体管的所述漏极并且所述第二晶体管的所述漏极在第二节点耦合到所述第一晶体管的所述源极;和
开关控制电路,当所述第一与第二节点的电压的至少一个超出所述开关控制电路的电源电压范围时,被配置使用来自至少在所述第一节点电压和在所述第二节点电压之一的电压,驱动至少所述第一与第二晶体管的所述栅极之一。
2.如权利要求1所述的模拟开关,其中所述第一与第二晶体管是开关晶体管并且当在所述第一或者第二节点的电压超出所述开关控制电路的电源电压范围时,响应使得所述开关处于高阻状态的信号,所述开关控制电路可操作地使用来自在所述第一节点的电压与所述第二节点的电压的所述最大正向电压驱动所述第一晶体管的所述栅极并且使用来自在所述第一节点电压与所述第二节点电压的最大负向电压驱动所述第二晶体管的所述栅极。
3.如权利要求1所述的模拟开关,其中响应使得所述开关高阻抗的信号,所述开关控制电路被设置使用在所述第一节点的电压、在所述第二节点的电压与所述开关控制电路的最大正向电源电压的最大正向选择的电压提供到所述第一晶体管的所述栅极,并且响应使得所述开关高阻抗的信号,所述开关控制电路还被设置使用在所述第一节点的电压、在所述第二节点的电压与所述开关控制电路的最大负向电源电压的最大负向选择电压提供到所述第二晶体管的所述栅极。
4.如权利要求1所述的模拟开关,其中所述第一晶体管具有背栅并且所述第二晶体管具有背栅,并且所述开关控制电路还可操作性地提供在所述第一节点的电压与在所述第二节点的电压之一的最大正向到所述第一晶体管的所述背栅,并且提供在所述第一节点电压与在所述第二节点的电压的最大负向到所述第二晶体管的所述背栅。
5.如权利要求4所述的模拟开关,还包括第三到第六场效应晶体管,其中所述第三与第四晶体管是P型场效应晶体管并且所述第五到第六晶体管是N型场效应晶体管;并且
所述第三晶体管的漏极耦合到所述第一节点,所述第三晶体管的源极耦合到所述第一晶体管的所述背栅,并且所述第三晶体管的栅极耦合到所述第二节点;
所述第四晶体管的漏极耦合到所述第二节点,所述第四晶体管的源极耦合到所述第一晶体管的所述背栅,并且所述第四晶体管的栅极耦合到所述第一节点;
所述第五晶体管的漏极耦合到所述第一节点,所述第五晶体管的源极耦合到所述第二晶体管的所述背栅,并且所述第五晶体管的栅极耦合到所述第二节点;并且
所述第六晶体管的漏极耦合到所述第二节点,所述第六晶体管的源极耦合到所述第二晶体管的所述背栅并且所述第六晶体管的栅极耦合到所述第一节点。
6.如权利要求1所述的模拟开关,还包括最大正向选择电路,用于比较在所述第一节点的电压与在所述第二节点的电压的最大正向电压与第一电源电压,并且用于在正向选择电路输出节点输出电压其中之一的最大正向。
7.如权利要求6所述的模拟开关,还包括被设置接收来自所述正向选择电路,第二电源电压与控制信号的电路,并且根据所述控制信号的状态,使用所述正向选择电路的输出或第二电源电压提供给所述第一晶体管的所述栅极。
8.如权利要求1所述的模拟开关,还包括最大负向选择电路,用于比较在所述第一节点的电压与在所述第二节点的电压的最大负向与第二电源电压,并且用于在负向选择电路输出节点输出所述电压的最大负向。
9.如权利要求8所述的模拟开关,还包括被设置接收来自所述最大负向选择电路输出、第一电源电压与控制信号的电路,并且根据所述控制信号的状态,使用所述最大负向选择电路的所述输出或所述第一电源电压提供到所述第二晶体管的所述栅极。
10.如权利要求1所述的模拟开关,其中所述第一与第二晶体管与所述模拟开关控制电路被提供在集成电路封装里面。
11.如权利要求1所述的模拟开关,其中所述第一与第二晶体管与所述开关控制电路在共享的半导体衬底上形成。
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