[发明专利]半导体元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。

背景技术

为了保护半导体元件不受移动离子(mobileion)(例如是Fe、Cu、Al、In、Co)的干扰，会在基底上形成氮化硅层或氧化硅层等膜层。然而，这些保护半导体元件的膜层在形成接触窗等开口时容易受损，并沿着接触窗开口侧壁产生移动离子可以通过的通道，使移动离子扩散至掺杂区域(例如有源区、源极/漏极区等)，进而对半导体元件造成损害。因此，如何降低移动离子对半导体元件可靠度的影响，为目前亟需解决的问题。

发明内容

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，其通过使接触窗开口的侧壁具有凹凸轮廓来增加移动离子沿着移动的路径，阻碍移动离子的扩散，而能够有效地防止移动离子对半导体元件的损害，并进一步提升半导体元件的可靠度。

本发明提供一种半导体元件，包括基底以及介电层。介电层位于基底上，介电层中具有多个开口，开口的侧壁具有凹凸轮廓。

依照本发明一实施例所述，在上述半导体元件中，所述介电层包括多个第一层以及至少一第二层，所述第二层夹于两个所述第一层之间，其中所述第一层的材料与所述第二层的材料不同。

依照本发明一实施例所述，在上述半导体元件中，所述介电层包括多个所述第二层，所述第二层与所述第一层相互交替，其中所述第二层相对于所述第一层凸出，而延伸至所述开口中。

依照本发明一实施例所述，在上述半导体元件中，所述第一层包括氧化物、低介电系数介电材料、旋涂材料(spinonmaterial，SOM)或其组合，所述第二层包括氮化物、碳化物、氮碳化物、氮氧化物或其组合。

本发明还提供一种半导体元件的制造方法，包括：于基底上交替形成多个第一层与至少一第二层。于所述第一层与所述第二层中形成多个开口。移除开口的侧壁上的部分第一层，使开口形成为具有凹凸轮廓的侧壁。

依照本发明一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，于所述第一层与所述第二层中形成所述开口的方法包括等离子体刻蚀法，使用的一射频功率为300瓦～5000瓦，使用的气体包括碳数为1～5的全氟烃、碳数为1～2的氟代烃、O₂、Ar、N₂的混合气体。

依照本发明一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，移除所述开口的侧壁上的部分所述第一层，使所述开口形成为具有凹凸轮廓的侧壁的步骤所使用的方法、气体与形成所述开口的步骤所使用的方法、气体相同，但降低所述射频功率，并将O₂的流量增加为1.5倍～3倍。

依照本发明一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，移除所述开口的侧壁上的部分所述第一层的方法包括等向性刻蚀，所述第一层对所述第二层的刻蚀选择比为1.5∶1～100∶1。

依照本发明一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，所述等向性刻蚀包括等离子体刻蚀法，所述等离子体刻蚀法包括使用远程等离子体，所述远程等离子体使用的气体包括NF₃/NH₃/H2或HF/H₂/NH₃气体。

依照本发明一实施例所述，在上述半导体元件的制造方法中，所述等向性刻蚀包括湿法刻蚀法，所述湿法刻蚀法包括使用稀释氢氟酸或刻蚀缓冲液。

基于上述，本发明提供的半导体元件及其制造方法，可以形成侧壁具有凹凸轮廓的接触窗开口，增加移动离子沿着移动的路径，并阻碍移动离子的扩散，从而有效地防止移动离子对半导体元件的损害，进一步提升半导体元件的可靠度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1F为依照本发明的一实施例所绘示的半导体元件的制造方法的剖面示意图。

【符号说明】

110：基底

112、112a、112b：第一层

114、114a、114b：第二层

116：图案化掩模层

118、118a、118b：介电层

120、120a、120b：开口

122、122a：势垒层

123a：势垒层的内表面

123b：势垒层的外表面

124：导体层

124a：导体插塞

126：连接结构

A：内凹部

B：凸出部

L：长度