[发明专利]微型扬声器有效
申请号: | 201410782037.4 | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN104540078A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 范双双;陈钢;杨赟;霍新祥;韩丹 | 申请(专利权)人: | 歌尔声学股份有限公司 |
主分类号: | H04R9/06 | 分类号: | H04R9/06 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 261031 山东省潍*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 扬声器 | ||
1.一种微型扬声器,包括振动系统、磁路系统和支撑系统,所述支撑系统收容固定所述振动系统和磁路系统;所述振动系统包括振膜和结合于振膜一侧的音圈,所述振膜包括位于中心位置的刚性的球顶部和位于边缘位置的折环部;所述磁路系统包括依次结合的华司、磁铁和磁轭,所述磁路系统形成收容所述音圈的磁间隙;所述支撑系统包括上壳;所述上壳对应于所述振膜中心球顶部的位置设有下凹的凹槽结构,其特征在于:
所述球顶部正对上壳所述凹槽结构的位置设有避让凹槽,所述避让凹槽的纵向深度不小于所述上壳凹槽结构的深度,并且所述避让凹槽的正投影区域覆盖所述上壳凹槽结构的正投影区域;
正对所述振膜的避让凹槽的华司上设有避让结构,所述避让结构的纵向深度不小于所述避让凹槽的深度,所述避让结构的正投影区域能够覆盖所述振膜避让凹槽的正投影区域。
2.根据权利要求1所述的微型扬声器,其特征在于,所述华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度;
正对所述振膜的所述华司为中空的环形结构,所述华司的避让结构为所述华司的中空部分,所述华司中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。
3.根据权利要求1所述的微型扬声器,其特征在于,所述磁路系统为双磁路结构,包括分别结合于所述磁轭中心位置的中心华司、中心磁铁和结合于所述磁轭边缘位置的边华司和边磁铁;其中所述中心华司正对所述振膜中心的球顶部设置。
4.根据权利要求3所述的微型扬声器,其特征在于,所述中心华司的厚度不小于所述振膜避让凹槽的纵向深度;
所述中心华司为中空的环形结构,所述中心华司的中空部分正对所述振膜的避让凹槽设置,并且所述华司的中空部分的正投影区域与所述振膜的避让凹槽的正投影区域重叠。
5.根据权利要求3所述的微型扬声器,其特征在于,所述中心华司为中空的环形结构,所述中心磁铁也为中空的环形结构,所述中心磁铁中空部分的正投影区域与所述中心华司中空部分的正投影区域重叠。
6.根据权利要求1所述的微型扬声器,其特征在于,所述振膜的避让凹槽的纵向深度等于所述上壳凹槽结构的纵向深度。
7.根据权利要求1或6所述的微型扬声器,其特征在于,所述上壳的凹槽结构与所述振膜的避让凹槽均设有过渡斜面,所述凹槽结构的过渡斜面与所述避让凹槽的过渡斜面平行。
8.根据权利要求3或5任一权利要求所述的微型扬声器,其特征在于,所述振膜的避让凹槽和所述中心华司的内侧边缘均设有过渡斜面,所述避让凹槽的过渡斜面与所述中心华司的内侧边缘的过渡斜面平行。
9.根据权利要求1至6任一权利要求所述的微型扬声器,其特征在于,所述支撑系统还包括中壳和下壳,所述中壳和下壳支撑固定所述磁路系统。
10.根据权利要求1至6任一权利要求所述的微型扬声器,其特征在于,所述上壳包括塑料支架和与所述塑料支架注塑结合的钢片;
微型扬声器的出声孔位于侧面,设置于所述上壳的侧壁上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔声学股份有限公司;,未经歌尔声学股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410782037.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:通信系统及其呼叫控制方法
- 下一篇:扬声器模组