[发明专利]基于双向可控硅的过零触发电路

权利要求书

1.一种基于双向可控硅的过零触发电路，其特征在于，包括用于获取双向可控硅开关两端电压信号的输入端，以及向双向可控硅发送过零触发信号的输出端；

所述的输入端与输出端之间依次设置有：

用于对可控硅两端电压信号进行全波整流的桥式电路(D300)；

用于将电压信号反馈到装置CPU的第一光耦(U300A)；

用于对可控硅两端电压信号进行电平变换，产生对应初步过零脉冲信号的第二光耦(U300B)；

用于产生可控硅过零点触发信号的比较放大器(U301)；

用于将过零点触发信号与调谐过程CPU发出的电容器投切触发信号相与的门元件(U302)；

用于产生双向可控硅过零触发驱动信号的驱动器(U303)。

2.根据权利要求1所述的基于双向可控硅的过零触发电路，其特征在于：所述的输入双向可控硅开关两端电压信号与调谐电源信号保持同步。

3.根据权利要求1或2所述的基于双向可控硅的过零触发电路，其特征在于：所述的输入端与桥式电路(D300)之间设置有用于对双向可控硅开关两端电压信号分别进行衰减的第一电阻(R300)与第二电阻(R301)。

4.根据权利要求1所述的基于双向可控硅的过零触发电路，其特征在于：所述的桥式电路(D300)后端设置有用于进行高频滤波的电容(C300)。

5.根据权利要求1所述的基于双向可控硅的过零触发电路，其特征在于：所述的第一光耦(U300A)前端设置有防止光耦反向击穿及保证反向导通续流的二极管(D301)。

6.根据权利要求1所述的基于双向可控硅的过零触发电路，其特征在于：所述的比较放大器(U301)前端设置有用于改变可控硅过零点触发脉冲占空比的调整电阻(R306)。

7.根据权利要求1或6所述的基于双向可控硅的过零触发电路，其特征在于：所述的比较放大器(U301)选用AR8541AR、AR8542AR或AR8544AR。

8.根据权利要求1所述的基于双向可控硅的过零触发电路，其特征在于：所述的驱动器(U303)采用MOC3021可控硅输出驱动光耦；所述的第一光耦(U300A)与第二光耦(U300B)采用TLP281光耦。