[发明专利]基于CMOS芯片的射线探测装置及探测方法

权利要求书

1.一种基于CMOS芯片的射线探测装置,包括:

芯片bonding板；

CMOS芯片，固定于芯片bonding板上；

传感材料，位于CMOS芯片上方但不与CMOS芯片接触；

PCB板，所述PCB板中开有窗口；

电极，一侧附在传感材料上，另一侧固定在PCB板上。

2.根据权利要求1所述的射线探测装置，其特征在于，所述CMOS芯片由像素阵列构成。

3.基于权利要求1所述的射线探测装置的射线探测方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在电极上加交变电压；

2）在电压由正电压切变为负电压或者由负电压切换为正电压时，将射线打入传感材料中，电荷信号通过传感材料与CMOS芯片之间的电容耦合到CMOS芯片上；

3）根据CMOS芯片上所有像素的响应，得到CMOS芯片上的二维信号分布；

4)像素传感芯片在由负电压切换为正电压或正电压切变到负电压之前复位、扫描像素，读出采集数据；

5）根据芯片上的二维信号分布，得到射线强度的二维分布。