[发明专利]一种AM-OLED显示器的像素补偿结构及其驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机发光显示器像素结构，特别涉及AM-OLED显示器的像素补偿结构的驱动电路及其驱动方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。

如图1为传统的一种2T1C的阵列OLED驱动电路，其中2T1C是指电路中包括2个薄膜晶体管(TFT)以及1个电容C；其中，一个开关薄膜晶体管T_SELCET作为地址选择之用，另外需要一个控制亮度与灰阶的驱动薄膜晶体管T_DRIVE。开关薄膜晶体管主要起开关作用，控制电容Cs的充电开关，它要求有较大的电流开关比(Ion/Ioff)，才能实现“打开”和“关断”的功能；驱动薄膜晶体管T_DRIVE用于驱动OLED发光，它需要有较大的电流才能使OLED达到所需的亮度，因此需要有较大的载流子迁移率，一般要求载流子迁移率大于1cm²V^-1s^-1。电容Cs主要用来存储数据信号V_DATA灰阶电压，进而控制驱动薄膜晶体管T_DRIVE对OLED的驱动电流，Vg为扫描信号，V_DATA为数据信号，V_DD为共通电极信号，V_CA为阴极。

其中，开关薄膜晶体管T_SELCET将数据信号V_DATA上的电压传输到驱动薄膜晶体管T_DRIVE的栅极，该驱动管将这个数据电压转化为相应的电流提供给OLED。为保证通过OLED的电流稳定，驱动薄膜晶体管T_DRIVE一般工作在饱和区，在一行的扫描时间内提供恒定电流，其驱动电流可表示为：

IOLED=12μp·COX·WL·(Vdata-Vdd-Vth)2]]>

式中I_OLED是通过OLED的电流，直接控制着OLED的发光亮度，μ_p是TFT管IGZO半导体的迁移率，C_ox是栅极氧化层的单位面积电容，W是沟道宽度，L为沟道长度，V_data是数据信号电压，V_dd是共通电极的电压，为所用像素单元共享V_th是TFT管的阈值电压。

由上式可知，通过OLED的电流都不仅受数据信号电压V_data的控制，同时也受TFT阈值电压V_th的影响。由于多个像素电路中TFT T1的阈值电压(V_th)特性存在差异，且随着时间的推移，TFT的V_th也会发生漂移，各OLED像素电路的TFT不可能具备完全一致的性能参数；由此造成流过各OLED像素电路中OLED的电流不一致，导致各OLED像素电路发光亮度不同，进而导致OLED亮度均一性与亮度恒定性受影响，影响有机发光二极管显示器的显示效果。

发明内容