[发明专利]一种直接在疏水基底上实施蘸笔纳米刻蚀技术的方法

权利要求书

1.一种直接在疏水基底上实施蘸笔纳米刻蚀技术的方法，其特征在于，所述方法包括：将AFM针尖与疏水基底密封在一个充满有机溶剂蒸汽的空间内，通过所述有机溶剂蒸汽在所述AFM针尖和疏水基底上的吸附在所述AFM针尖和疏水基底之间形成液桥，将所述AFM针尖上预先吸附的物质转移到所述疏水基底的表面，制备出疏水纳米结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂能浸润所述疏水基底的表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂不能溶胀或溶解所述疏水基底。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂至少部分地溶解所述AFM针尖上预先吸附的物质。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂是易挥发的醇类，苯类，酯类或醚类。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂是单种有机溶剂，或有机溶剂与水的混合物，或多种有机溶剂的混合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机溶剂蒸汽的填充通过风机强制填充或通过所述有机溶剂的自然挥发实现。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述疏水基底选自金属，有机物，无机物或高分子材料中的一种。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述疏水基底无需进行表面修饰。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述AFM针尖为原子力显微镜的单根探针或探针阵列。