[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管的制作方法，包括有机半导体层的制作，其特征在于，制作有机半导体层后，该方法还包括：

将所述有机半导体层进行部分遮挡，在所述有机半导体层上形成遮挡区域和未遮挡区域，其中，所述遮挡区域对应需要形成有机薄膜晶体管的有源层的区域；

对所述有机半导体层进行掺杂，所述遮挡区域对应的有机半导体层未被掺杂，所述未遮挡区域对应的有机半导体层被掺杂。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：

通过构图工艺在衬底基板上制作栅极；

在所述栅极上制作栅极绝缘层；

通过构图工艺在所述栅极绝缘层上制作源极和漏极；

在所述源极和漏极上制作有机半导体层；

将所述有机半导体层进行部分遮挡，在所述有机半导体层上形成遮挡区域和未遮挡区域，其中，所述遮挡区域对应需要形成有机薄膜晶体管的有源层的区域；

对所述有机半导体层进行掺杂，所述遮挡区域对应的有机半导体层未被掺杂，所述未遮挡区域对应的有机半导体层被掺杂。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括：

在衬底基板上制作遮光层；

在所述遮光层上制作缓冲层；

在所述缓冲层上制作有机半导体层；

将所述有机半导体层进行部分遮挡，在所述有机半导体层上形成遮挡区域和未遮挡区域，其中，所述遮挡区域对应需要形成有机薄膜晶体管的有源层的区域；

对所述有机半导体层进行掺杂，所述遮挡区域对应的有机半导体层未被掺杂，所述未遮挡区域对应的有机半导体层被掺杂；

在掺杂后的有机半导体层上制作第一绝缘层；

通过构图工艺在所述第一绝缘层上制作栅极；

在所述栅极上制作第二绝缘层；

通过构图工艺在所述第二绝缘层上制作源极和漏极。

4.根据权利要求2或3任一权项所述的方法，其特征在于，制作有机半导体层，包括：

通过溶液法或真空蒸镀的方法制作有机半导体层。

5.根据权利要求2或3任一权项所述的方法，其特征在于，将所述有机半导体层进行部分遮挡，并对所述有机半导体层进行掺杂，具体包括：

采用金属掩膜板将所述有机半导体层进行部分遮挡，在所述有机半导体层上形成遮挡区域和未遮挡区域，其中，被所述金属掩膜板遮挡的区域对应需要形成有机薄膜晶体管的有源层的区域；

对所述有机半导体层进行掺杂，所述遮挡区域对应的有机半导体层未被掺杂，所述未遮挡区域对应的有机半导体层被掺杂。

6.根据权利要求2或3任一权项所述的方法，其特征在于，将所述有机半导体层进行部分遮挡，并对所述有机半导体层进行掺杂，具体包括：

在所述有机半导体层上涂覆一层光刻胶，并通过曝光、显影去除部分光刻胶，在所述有机半导体层上形成光刻胶覆盖区域和光刻胶未覆盖区域，其中，所述光刻胶覆盖区域对应需要形成有机薄膜晶体管的有源层的区域；

对所述有机半导体层进行掺杂，所述光刻胶覆盖区域对应的有机半导体层未被掺杂，所述光刻胶未覆盖区域对应的有机半导体层被掺杂；

去除所述光刻胶覆盖区域的光刻胶。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光刻胶为氟化的光刻胶。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述有机半导体层进行掺杂，包括：

采用溶液法或真空蒸镀的方法对所述有机半导体层进行掺杂。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，对所述有机半导体层进行掺杂时的掺杂物为有机小分子。

10.一种如权利要求1-9任一权项所述的方法制作得到的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机薄膜晶体管包括有机半导体层，所述有机半导体层包括掺杂区域和非掺杂区域，所述非掺杂区域对应需要形成有机薄膜晶体管的有源层的区域。

11.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求10所述的有机薄膜晶体管。

12.一种显示装置，其特征在于，所述装置包括权利要求11所述的阵列基板。