[发明专利]焊盘结构的制作方法、键合结构的制作方法及键合结构在审
申请号: | 201410784459.5 | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN105762086A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 陈彧;阎实 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盘结 制作方法 结构 | ||
技术领域
本申请涉及半导体集成电路的技术领域,具体而言,涉及一种焊盘结构的制作方法、键合结构的制作方法及键合结构。
背景技术
在芯片的制造过程中,需要在晶圆上形成焊盘,并通过引线键合将焊盘与外部器件、电路连接起来,以在芯片的内部世界与外部电路之间架起沟通的重要桥梁。因此,焊盘是半导体器件极为重要的连接构件,焊盘的质量直接影响引线连接等封装工艺,甚至还会影响芯片的运行速度等性能。
随着半导体工业的不断发展,焊盘的引线键合问题成为影响芯片性能的重要因素之一。所谓引线键合是指用金属引线将焊盘与引线框架上对应的电极键合连接,实现芯片内部电路与外部电话连接的过程。在引线键合的过程中,焊盘的表面状态会决定键合工艺是否成功。当焊盘发生腐蚀、结晶缺陷或被划伤等缺陷时,将会导致键合工艺失败或所形成芯片的可靠性下降。
在形成上述焊盘步骤之后至引线键合步骤之间,焊盘表面暴露在周围环境中。在此过程中会存在等离子体刻蚀等步骤,刻蚀等离子体通常包括CF4、CHF3和SF6,而氟离子和水汽会与焊盘发生反应,使得焊盘被腐蚀。同时,由于操作失误或操作仪器故障导致的焊盘表面发生划伤,以及落在焊盘表面上的污染物,也会影响焊盘的键合效果。如何解决上述问题,目前还没有有效的解决方法。
发明内容
本申请旨在提供一种焊盘结构的制作方法、键合结构的制作方法及键合结构,以阻挡刻蚀等离子体与焊盘接触,进而提高焊盘的键合效果。
为了实现上述目的,本申请提供了一种焊盘结构的制作方法,该制作方法包括以下步骤:在半导体基体上形成焊盘,并在焊盘上形成钝化层;在焊盘中未被钝化层覆盖的表面上形成保护层,以阻挡刻蚀等离子体与焊盘接触。
进一步地,保护层为无定型碳层或聚酯薄膜层。
进一步地,聚酯薄膜层为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸丁二醇酯。
进一步地,在形成保护层的步骤中,形成覆盖焊盘和钝化层的保护层。
进一步地,形成保护层的工艺为化学气相沉积。
进一步地,在形成保护层的步骤中,形成厚度为焊盘的厚度的1/10~1/4的保护层。
进一步地,形成钝化层的步骤包括:在焊盘的表面上形成钝化材料层;刻蚀部分钝化材料层至露出焊盘,并将剩余钝化材料层作为钝化层。
同时,本申请还提供了一种键合结构的制作方法,该制作方法包括以下步骤:形成焊盘结构,该焊盘结构由本申请上述的制作方法制作而成;去除焊盘结构中的保护层;将金属引线与焊盘结构中的焊盘进行键合。
进一步地,去除保护层的工艺为湿法清洗或等离子体清洗。
进一步地,保护层为无定型碳层,采用丙酮溶液或氢等离子体去除保护层。
同时,本申请还提供了一种键合结构,该键合结构由本申请上述的制作方法制作而成。
本申请在形成焊盘之后,在焊盘的表面上形成了保护层。该保护层能够阻挡刻蚀等离子体与焊盘接触,从而避免了由于刻蚀等离子体与焊盘反应导致的焊盘腐蚀,进而提高了焊盘的键合效果。同时,该保护层还能避免由于操作失误或操作仪器故障导致的焊盘表面发生划伤,以及落在焊盘表面上的污染物,从而进一步提高了焊盘的键合效果。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1示出了本申请实施方式所提供的焊盘结构的制作方法的流程示意图;以及
图2示出了本申请实施方式所提供的键合结构的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造