[发明专利]晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有导电金属垫；

在所述导电金属垫上形成凸出于衬底表面的金属核；

在所述金属核的顶面和侧面包覆球下金属层；

在所述球下金属层表面形成凸点结构。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，提供衬底的步骤还包括：

在所述衬底表面形成钝化层，并使所述导电金属垫从所述钝化层中露出。

3.如权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，提供衬底的步骤还包括：

在所述钝化层上形成保护层，并使所述导电金属垫从所述保护层中露出；

所述导电金属垫与所述钝化层以及保护层共同形成开口。

4.如权利要求3所述的晶圆级封装方法，其特征在于，形成金属核的步骤包括：使所述金属核形成于所述开口底部。

5.如权利要求3所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述保护层的材料为聚酰亚胺。

6.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，形成金属核的步骤包括：

在所述衬底上形成电镀籽晶层；

在所述电镀籽晶层上形成光刻胶层；

去除部分光刻胶以露出对应于导电金属垫位置的电镀籽晶层；

通过电镀在所述对应于导电金属垫位置的电镀籽晶层上形成所述金属核；

去除光刻胶层。

7.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述金属核的顶面和侧面包覆球下金属层的步骤包括：采用电镀的方式形成所述球下金属层。

8.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，形成凸点结构的步骤包括：采用植球、回流工艺形成所述凸点结构。

9.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述金属核的材料与凸点结构的材料不相同。

10.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述球下金属层的材料与球下金属层的材料不相同。