[发明专利]光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法

权利要求书

1.一种光罩或晶圆沾污的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：

步骤S1，检测一批晶圆中的各个晶圆对应的光罩的光罩膨胀系数，所述光罩包括版图，所述版图包括对准标记，所述对准标记的个数不少于三个；以及

步骤S2，比较各所述光罩膨胀系数，如果光罩膨胀系数出现异常则判断该光罩膨胀系数对应的光罩或晶圆出现沾污；

所述步骤S2包括：

步骤S21，计算所述一批晶圆的光罩膨胀系数平均值；

步骤S22，计算各所述膨胀系数与膨胀系数平均值的差值的绝对值，得到一组第一绝对值；以及

步骤S23，比较上述各所述第一绝对值与第一标准值，其中大于所述第一标准值的第一绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述版图包括六个对准标记：

第一对准标记(11)、第二对准标记(12)、第三对准标记(13)、第四对准标记(14)、第五对准标记(15)、第六对准标记(16)，相邻所述对准标记的最小间距为20mm～30mm。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述版图具有经过中心点(O)的第一定位线(1)、第二定位线(2)和第三定位线(3)，所述第一定位线(1)与所述第三定位线(3)以所述第二定位线(2)为对称轴对称设置，所述第一对准标记(11)和所述第二对准标记(12)以所述中心点(O)为对称中心对称设置在所述第一定位线(1)上，所述第三对准标记(13)和所述第四对准标记(14)以所述中心点(O)为对称中心对称设置在所述第二定位线(2)上，所述第五对准标记(15)和所述第六对准标记(16)以所述中心点(O)为对称中心对称设置在所述第三定位线(3)上。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，各所述对准标记距离所述版图边缘的最小距离在1mm～6mm之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11，将所述晶圆分别放置在晶圆承载台上，并在所述晶圆的远离所述晶圆承载台的表面上设置光刻胶；

步骤S12，利用所述光罩作为光刻掩膜版对各个所述晶圆上的所述光刻胶进行曝光，形成光刻胶对准标记；以及

步骤S13，读取各个所述晶圆的所述光罩的光罩膨胀系数。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一标准值为8nm～12nm。

7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：

在所述步骤S1中读取所述晶圆的所述光罩的光罩旋转系数；以及

在所述步骤S2中比较各所述光罩旋转系数，如果光罩旋转系数出现异常则判断该光罩旋转系数对应的光罩或晶圆出现沾污。

8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，利用所述光罩旋转系数判断所述沾污的过程包括：

步骤A，计算所述一批晶圆的光罩旋转系数平均值；

步骤B，计算各所述光罩旋转系数与旋转系数平均值的差值的绝对值，得到一组第二绝对值；以及

步骤C，比较各所述第二绝对值与第二标准值，大于所述第二标准值的所述第二绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。

9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述第二标准值为0.8μrad～1.2μrad。

10.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：

步骤S3，建立所述第一绝对值与晶圆叠对偏移值的第一对应关系；

步骤S4，通过第一对应关系得到所述第一绝对值对应的晶圆叠对偏移值；以及

步骤S5，将所述晶圆叠对偏移值与所述晶圆的下一制程的景深进行比较，若所述晶圆的叠对偏移值大于所述景深，将所述晶圆返工，否则进入所述下一制程。