[发明专利]一种垂直结构功率器件外延层的生长方法及其功率器件在审
| 申请号： | 201410785079.3 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104538282A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 苗操;伊迪亚·乔德瑞;杨秀程;朱廷刚;艾俊;王科 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 功率 器件 外延 生长 方法 及其 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直结构功率器件外延层的生长方法，其特征在于，主要包括以下步骤：
1）在光滑的衬底上生长一层或多层外延过渡层；
2）对所述外延过渡层的上表面进行部分蚀刻处理，以形成具有粗糙面的外延过渡层；
3）在经过步骤2）蚀刻处理后的所述外延过渡层的粗糙面上再生长一层目标外延层。
2.根据权利要求1所述的垂直结构功率器件外延层的生长方法，其特征在于：所述步骤1）中的所述衬底上生长有多层所述外延过渡层，每层所述外延过渡层的材料相同或不同。
3.根据权利要求2所述的垂直结构功率器件外延层的生长方法，其特征在于：每层所述外延过渡层的材料为氮化镓、氮化铝或氮化镓铝。
4.根据权利要求1所述的垂直结构功率器件外延层的生长方法，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。
5.根据权利要求1所述的垂直结构功率器件外延层的生长方法，其特征在于：所述步骤2）中采用干法刻蚀的方法对所述外延过渡层进行蚀刻处理。
6.根据权利要求1所述的垂直结构功率器件外延层的生长方法，其特征在于：所述目标外延层为氮化镓外延层。
7.一种基于权利要求1至6任一所述的垂直结构功率器件外延层的生长方法制得的功率器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
