[发明专利]扇出晶圆封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，具体涉及一种扇出晶圆封装方法。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。

在公告号为CN1747156C的中国专利中就公开了一种封装基板。所述封装基板包括：基板，所述基板包括一表面；位于所述基板表面上的接球垫；形成于所述基板表面上的防焊层，所述防焊层包括至少一开口，所述开口露出所述接球垫；所述封装基板还包括一图案化金属补强层，所述图案化金属补强层沿着所述防焊层开口的侧壁形成于所述接球垫上。

但是，这种封装基板功能结构比较单一，并不能适应半导体产品轻薄短小的趋势以及产品系统功能需求的不断提高。在现有技术中需要对晶圆进行再造工艺才能提升半导体产品性能，但是这种方式需要昂贵的设备支撑，同时还会增加工艺的复杂程度。因此，如何进一步提高系统级封装的集成性成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种扇出晶圆封装方法，以较为简便地提升形成的扇出晶圆封装结构的电气性能。

为解决上述问题，本发明提供一种扇出晶圆封装方法，包括：

提供衬底，所述衬底中包括第一芯片；

在所述衬底上依次形成一层或多层封装层，形成所述封装层的步骤包括：

形成与所述第一芯片电连接的导电互连结构；在所述第一芯片上未形成所述导电互连结构的部分设置第二芯片，所述第二芯片具有金属垫；在所述导电互连结构和第二芯片之间填充介质层，所述介质层露出所述导电互连结构以及第二芯片的金属垫；

在所述封装层上形成绝缘层，所述绝缘层包括与所述导电互连结构或者第二芯片的金属垫电连接的引线结构。

可选的，提供第一芯片的步骤还包括：

所述第一芯片的表面形成有金属垫；

在所述第一芯片表面的金属垫上形成钝化层，所述金属垫从所述钝化层中露出。

可选的，在同一封装层中，

使第二芯片的高度小于导电互连结构的高度。

可选的，在第一芯片上设置第二芯片的步骤包括：使所述第二芯片粘贴在所述第一芯片上。

可选的，使第二芯片粘贴在第一芯片的步骤包括：

在所述第一芯片未形成所述导电互连结构的表面上形成绝缘粘附层；

在所述绝缘粘附层上设置所述第二芯片，以使所述第二芯片通过所述绝缘粘附层粘贴于所述第一芯片上。

可选的，形成导电互连结构的步骤包括：形成铜柱结构端子。

可选的，形成绝缘层的步骤包括：

在所述封装层上形成与导电互连结构或者第二芯片电连接的导电布线结构；

在所述封装层以及导电布线结构上形成绝缘层，所述绝缘层中形成有露出所述导电布线结构的开口；

在所述开口中形成球下金属层；

在所述球下金属层上形成凸点结构。

可选的，形成凸点结构的步骤包括：形成球形凸点结构或者柱形凸点结构。

可选的，形成凸点结构的步骤包括：采用电镀或者植球的方式形成球形凸点结构。

可选的，形成铜材料的凸点结构。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

在提供包括第一芯片的衬底后，在所述衬底上依次形成一层或多层封装层，形成所述封装层的步骤包括形成与所述第一芯片电连接的导电互连结构；在所述第一芯片上未形成所述导电互连结构的部分设置第二芯片，所述第二芯片具有金属垫；在所述导电互连结构和第二芯片之间填充介质层，所述介质层露出所述导电互连结构以及第二芯片的金属垫；在这之后，在所述封装层上形成绝缘层，所述绝缘层包括与所述导电互连结构或者第二芯片的金属垫电连接的引线结构。也就是说，本发明将一个或多个第二芯片与一个具有第一芯片的衬底组合封装在一起，第二芯片可以作为辅助芯片配合衬底中的第一芯片工作，使整个扇出晶圆封装结构的电气性能得到提升，这种方法相对于现有的再造晶圆工艺来说只需要在主芯片上形成辅助芯片，相对省去了再造晶圆的工艺步骤，降低了生产成本以及工艺的复杂性。

附图说明

图1至图9是本发明扇出晶圆封装方法一实施例中各个步骤的结构示意图。

具体实施方式