[发明专利]MEMS器件的制作方法及MEMS器件

说明书

技术领域

本申请涉及半导体集成电路的技术领域，具体而言，涉及一种MEMS器件的制作方法及MEMS器件。

背景技术

MEMS是采用半导体制造技术在芯片上集成微电路和微机械形成的，其具有尺寸小、功耗低、耐用性好以及性能稳定等优点，使其在传感器等领域得到广泛应用。

参见图1到图3，现有MEMS器件的制作方法通常包括以下步骤：首先，形成包括阻挡层10′，位于阻挡层10′上的第一锗层20′，位于第一锗层20′上的锗化硅层30′，贯穿锗化硅层30′的沟槽，以及位于沟槽的侧壁和锗化硅层30′的上表面上的第二锗层40′的基体结构，其中沟槽具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，其结构如图1所示；然后，在位于沟槽的第二侧壁以及锗化硅层30′的上表面的第二锗层40′上形成光刻胶层50′，进而形成如图2所示的基体结构；最后，刻蚀去除位于第一侧壁上的第二锗层40′。上述制作方法中，还可以在锗化硅层30′的上表面的第二锗层40′上形成光刻胶层50′，然后刻蚀去除位于第一侧壁和第二侧壁上的第二锗层40′。

在刻蚀去除上述第二锗层40′的过程中，位于沟槽底部的部分第一锗层20′也会被刻蚀去除，从而在第一锗层20′中产生切口，进而降低第一锗层20′和锗化硅层30′之间的粘结性，并进一步影响所形成MEMS器件的性能。为了解决上述问题，本领域的技术人员尝试降低刻蚀的时间，然而这将导致第二锗层40′不能完全除去，进而影响MEMS器件的性能。

发明内容

本申请旨在提供一种MEMS器件的制作方法及MEMS器件，以解决在MEMS器件的制作过程中第一锗层产生切口的问题。

为了实现上述目的，本申请提供了一种MEMS器件的制作方法，该制作方法包括以下步骤：形成基体结构，基体结构包括第一锗层，位于第一锗层上的锗化硅层，贯穿锗化硅层的沟槽，以及位于沟槽的侧壁和锗化硅层的上表面上的第二锗层；形成覆盖沟槽中的第一锗层的保护膜层；刻蚀去除位于沟槽的侧壁上的第二锗层；去除保护膜层。

进一步地，沟槽的底壁低于第一锗层的上表面；在形成保护膜层的步骤中，形成上表面高于第一锗层的上表面的保护膜层。

进一步地，形成保护膜层的步骤包括：在沟槽中以及第二锗层上形成保护预备膜层；在保护预备膜层上形成具有开口的第一光刻胶层；沿第一光刻胶层中的开口刻蚀保护预备膜层，并将位于沟槽中的保护预备膜层作为保护膜层。

进一步地，刻蚀保护预备膜层的工艺为各向异性刻蚀工艺。

进一步地，在形成保护膜层之后，去除剩余的保护预备膜层和第一光刻胶层。

进一步地，保护预备膜层为抗反射涂层。

进一步地，沟槽具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁；在刻蚀去除第二锗层的步骤中，去除位于第一侧壁上的第二锗层。

进一步地，刻蚀去除第二锗层的步骤包括：在位于沟槽的第二侧壁以及锗化硅层的上表面的第二锗层上形成第二光刻胶层；刻蚀去除位于第一侧壁上的第二锗层；去除第二光刻胶层。

进一步地，刻蚀去除第二锗层的工艺为各向同性刻蚀工艺。

进一步地，在形成基体结构的步骤中，还包括形成阻挡层，并在阻挡层上形成第一锗层。

同时，本申请还提供了一种MEMS器件，该MEMS器件由本申请提供的MEMS器件的制作方法制作而成。

应用本申请的技术方案，本申请先形成覆盖沟槽中的第一锗层的保护膜层后，再刻蚀去除位于沟槽的侧壁上的第二锗层，而该保护膜层能够避免第一锗层被刻蚀去除，从而解决了由于第一锗层被刻蚀而产生切口的问题。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出了现有MEMS器件的制作方法中，形成包括阻挡层、位于阻挡层上的第一锗层、位于第一锗层上的锗化硅层、贯穿锗化硅层的沟槽以及位于沟槽的侧壁和锗化硅层的上表面上的第二锗层的基体结构的剖面结构示意图；

图2示出了在位于图1所示的沟槽的第二侧壁以及锗化硅层的上表面的第二锗层上形成光刻胶层后的基体的剖面结构示意图；

图3示出了刻蚀去除位于图2所示的第一侧壁上的第二锗层后的基体的剖面结构示意图；

图4示出了本申请实施方式所提供的MEMS器件的制作方法的流程示意图；