[发明专利]利用遮挡模板的LDS天线制作方法在审
申请号: | 201410785670.9 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN104505587A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 张为林;熊熠;吕华东;丁迎伟;翟后明;赵品军 | 申请(专利权)人: | 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;C23C18/31;C25D5/02 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 遮挡 模板 lds 天线 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及激光直接成型技术领域,具体地,涉及一种利用遮挡板的LDS天线制作方法。
背景技术
激光直接成型技术(LDS—Laser Direct Structuring)是一种专业镭射加工、射出与电镀制程的3D-MID(Three-dimensionalmouldedinterconnectdevice)生产技术,其原理是将普通的塑胶元件/电路板赋予电气互连功能、支撑元器件功能和塑料壳体的支撑、防护等功能,以及由机械实体与导电图形结合而产生的屏蔽、天线等功能结合於一体,形成所谓3D-MID,适用於ICSubstrate、HDIPCB、LeadFrame局部细线路制作。
此技术可应用在手机天线、汽车用电子电路、提款机外壳及.医疗级助听器。目前最常见的在於手机天线,一般常见手机天线内建方法,大多采用将金属片以塑胶热融方式固定在手机背壳或是将金属片直接贴在手机背壳上,LDS可将天线直接制作在手机外壳上,不仅避免内部手机金属干扰,更缩小手机体积。
通常LDS制作技术是透过镭射机台接受数位线路资料后,将PCB表面锡抗蚀刻阻剂烧除,之後再施以电镀金属化,即可在塑胶表面产生金属材的线路。
而目前普通的LDS镭射过程多为机器程序化的镭射轨迹来控制产品LDS聚合物被活化区域的形状和精度。目前这种方法存在以下几个缺陷:
1.制作LDS镭射轨迹程序需要相当长的时间;
2.不同批次和机器生产的产品一致性存在一定差异;
3.产品生产速率相对低下;
4.LDS聚合物被镭射活化区域的定位尺寸精度相对较差。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明的目的是提供一种利用遮挡模板的LDS天线制作方法,在LDS天线的镭射活化过程中,利用遮挡模板来遮住不需要镭射区域的镭射能量,从而使任意轨迹的足量面积的镭射能量可以灼烧出预设遮挡模板对应的镭射活化区域。
根据本发明提供的一种利用遮挡板的LDS天线制作方法,包括以下步骤:
S1,镭射光源发出镭射光,所述镭射光入射一包含有镂空部分的遮挡模板;
S2,所述镭射光经过所述遮挡模板后,未被所述遮挡模板遮挡的镭射光入射到含有金属触媒的载体上;
S3,所述未被所述遮挡模板遮挡的镭射光将所述载体的被照射区域活化,获得具有金属晶核的可化镀载体;
S4,对所述可化镀载体进行电镀或者化镀工艺,以所述金属晶核为基础,沉积若干金属层,从而在所述照射区域形成LDS天线的金属线路。
作为优化方案,所述步骤S1进一步包括:所述镭射光与所述遮挡模板成一预设第一夹角入射。
作为优化方案,所述第一预设夹角为90度。
作为优化方案,所述步骤S2进一步包括:所述遮挡模板与所述载体成一预设第二夹角相对设置。
作为优化方案,所述第二预设夹角为0度。作为优化方案,所述镭射光源额定功率为3-12瓦特。
作为优化方案,所述镭射光频率为40-200KHz。
作为优化方案,所述镭射光源的移动速度为2000-4000mm/s。
作为优化方案,所述遮挡模板的镂空部分与载体上待加工的LDS天线的金属线路相对应,且所述镂空部分边缘光滑。
作为优化方案,所述遮挡模板所用材料为铁或铝或铜。
作为优化方案,所述载体具有任意立体形状。
与现有技术相比,本发明具有如下的有益效果:
1、通过遮挡板的暴露区域来控制产品被LDS形状,无需特定镭射轨迹程式,免除制作镭射轨迹程式的时间。
2、遮挡板可适用于各种型号的LDS机器,可保证产品在不同时间和不同LDS镭射机器上生产出的产品有更好的一致性。
3、通过大面积的镭射光束来一次性灼烧遮挡板的暴露区域能明显提升产品生产速率。
4、依据遮挡板尺寸精度和产品定位的精度来控制LDS镭射产品精度更具有稳定性和优越性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。附图中:
图1是可选的实施例中一种利用遮挡板的LDS天线制作方法流程示意图;
图2是可选的实施例中固定镭射光源正入射示意图;
图3是可选的实施例中固定镭射光源成斜入射示意图;
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