[发明专利]低发射比的选择性太阳能热吸收涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种低发射比的选择性太阳能热吸收涂层，由上往下依次包括减反层、主吸收性涂层以及高反射基底层，其特征在于：该高反射基底层采用大面积电子束蒸发镀膜工艺制备而成，这种镀膜工艺所使用的蒸发材料为铝、铜或者银。

2.如权利要求1所述一种低发射比的选择性太阳能热吸收涂层，其特征在于：所述高反射基底层的下表面覆盖有一用于提高和改善选择性太阳能热吸收涂层的附着性和/或抗腐蚀性的薄膜涂层。

3.如权利要求2所述一种低发射比的选择性太阳能热吸收涂层，其特征在于：所述薄膜涂层的成分为至少一种金属、至少一种金属氧化物、至少一种金属氮化物、至少一种金属氮氧化物或者以上金属、金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物的任意组合。

4.如权利要求3所述一种低发射比的选择性太阳能热吸收涂层，其特征在于：所述薄膜涂层采用DC磁控溅射工艺或者AC磁控溅射工艺镀制于所高反射基底层的下表面。

5.如权利要求1所述一种低发射比的选择性太阳能热吸收涂层，其特征在于：该选择性太阳能热吸收涂层被镀制于一金属带基材上。

6.如权利要求5所述一种低发射比的选择性太阳能热吸收涂层，其特征在于：所述金属带基材为铝带、不锈钢带或者铜带。

7.如权利要求1所述一种低发射比的选择性太阳能热吸收涂层，其特征在于：所述高反射基底层的厚度为50nm～1000nm。

8.一种选择性太阳能热吸收涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、使用DC磁控溅射工艺或者AC磁控溅射工艺，以铝带、不锈钢带或铜带为金属带基材，在该金属带基材上镀上一层用于提高和改善选择性太阳能热吸收涂层的附着性和/或抗腐蚀性的薄膜涂层，其中该薄膜涂层的成分为至少一种金属、至少一种金属氧化物、至少一种金属氮化物、至少一种金属氮氧化物或者以上金属、金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物的任意组合；步骤2、采用大面积电子束蒸发镀膜工艺，以铝、铜或者银作为蒸发材料，在步骤1制得的薄膜涂层上镀上一层高反射基底层；步骤3、使用电子束蒸发或者AC磁控溅射工艺，在步骤2获得的高反射基底层上镀上一到多个涂层来建立选择性太阳能热吸收涂层膜系的主吸收性涂层；步骤4、在步骤3获得的主吸收性涂层上镀上一减反层。

9.如权利要求8所述一种选择性太阳能热吸收涂层的制备方法，其特征在于：步骤4包括有步骤4a和步骤4b，其中所述步骤4a为：通过使用DC磁控溅射工艺，以ZnO:Al2O3 (AZO)、ZnO:Ga2O3 (GZO)或In2O3:SnO2 (ITO)作为所述复合TCO靶材，在步骤3获得的主吸收性涂层上镀上一 TCO透明导电氧化物涂层；所述步骤4b为：通过使用电子束蒸发或者AC磁控溅射工艺，在步骤4a获得的TCO透明导电氧化物涂层上镀上一SiO2（SiOx）氧化物涂层。

10.如权利要求8或9所述一种选择性太阳能热吸收涂层的制备方法，其特征在于：所述高反射基底层的厚度为50nm～1000nm。