[发明专利]形成金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构的机理

权利要求书

1.一种装置，包括：

衬底；以及

金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，形成在所述衬底上，

其中，所述MIM电容器包括：

电容器顶部金属(CTM)层；

电容器底部金属(CBM)层；和

绝缘体，形成在所述CTM层和所述CBM层之间，

其中，所述绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且所述第一高k介电层形成在所述CBM层和所述绝缘层之间或者形成在所述CTM层和所述绝缘层之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述绝缘体还包括第二高k介电层。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一高k介电层和所述第二高k介电层形成在所述绝缘层的相对两侧上。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一高k介电层具有介于约4至约400范围内的相对介电常数。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一高k介电层包括氧化钛(Ti_xO_y，x为实数以及y为实数)、氧化钽(Ta_xO_y，x为实数以及y为实数)、氮氧化钛(Ti_xO_yN_z，x为实数、y为实数以及z为实数)或氮氧化钽(Ta_xO_yN_z，x为实数、y为实数以及z为实数)。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一高k介电层的厚度介于约5埃至约50埃的范围内。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一高k介电层的厚度、所述绝缘层的厚度和所述第二高k介电层的厚度的总厚度介于约17埃至约10010埃的范围内。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述CBM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层，并且所述底部阻挡层和所述顶部阻挡层形成在所述主金属层的相对两侧上。

9.一种金属-绝缘体-金属电容器结构，包括：

CBM层，形成在衬底上，其中，所述CBM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层；

第一高k介电层，形成在所述CBM层上；

绝缘层，形成在所述第一高k介电层上；

第二高k介电层，形成在所述绝缘层上；以及

CTM层，形成在所述第二高k介电层上，其中，所述CTM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层。

10.一种形成金属-绝缘体-金属电容器结构的方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成电容器底部金属(CBM)层，其中，所述CBM层包括底部阻挡层、主金属层和顶部阻挡层；

在所述CBM层上形成第一高k介电层；

在所述第一高k介电层上形成绝缘层；以及

在所述绝缘层上形成电容器顶部金属(CTM)层。