[发明专利]LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及位于N型半导体层上方的N电极和位于P型半导体层上方的P电极，其特征在于，所述衬底上方的N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层全部或部分刻蚀形成奈米柱，所述奈米柱上方倾斜设有氧化物奈米柱，氧化物奈米柱上方设有二维透明导电层，二维透明导电层串接所有氧化物奈米柱，所述P电极位于二维透明导电层上方。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述奈米柱刻蚀至N型半导体层、多量子阱发光层、或P型半导体层。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述奈米柱的高度为20nm～2000nm，横截面大小为10nm～5000nm。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述奈米柱的排列为规则排列或不规则排列，奈米柱的横截面为圆形、三角形、六角形、多边形或不规则形。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述二维透明导电层为石墨烯、MoS₂、WSe₂中的一种或多种的组合。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述氧化物奈米柱为ITO、ZnO、AZO、GZO、IGZO、AGZO中的一种或多种的组合。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述氧化物奈米柱的倾斜角度为10°～70°。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述氧化物奈米柱的高度为100nm～5000nm，横截面大小为10nm～5000nm。

9.一种如权利要求1中LED芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、提供一衬底，在衬底上依次生长N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层；

S2、刻蚀全部或部分N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层形成奈米柱；

S3、使用斜向沉积的方式在奈米柱上沉积倾斜的氧化物奈米柱；

S4、在氧化物奈米柱上方形成串接所有氧化物奈米柱的二维透明导电层；

S5、在二维透明导电层上方形成P电极，在N型半导体层上形成N电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：

在基板上采用CVD的方式形成二维透明导电层；

将二维透明导电层从基板上剥离；

将剥离后的二维透明导电层转印到奈米柱的表面。