[发明专利]一种像素驱动电路在审

专利信息
申请号: 201410790325.4 申请日: 2014-12-18
公开(公告)号: CN105761665A 公开(公告)日: 2016-07-13
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 四川虹视显示技术有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 王伟
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 像素 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

发明属于显示技术领域,具体涉及一种像素驱动电路的设计。

背景技术

有源矩阵驱动的有机发光二极管(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode,AMOLED)由于具有发光亮度高、驱动电压低、响应速度快、无视角限制、能效高、超轻超薄等优点,具有巨大的应用前景。

现有的AMOLED像素电路的结构如图1所示,包括开关管T3,电容Cs,驱动管T1和有机发光二极管OLED。开关管T3的控制极连接外部扫描信号Vscan,数据信号S从开关管T3输入,在开关管T3关断后,数据信号存储在电容Cs中。在给定的发光期间,驱动管T1根据电容Cs中所存储的数据信号产生相应的输出电流,该输出电流作为驱动电流Id驱动有机发光二极管OLED发出亮度与数据信号相应的光。通过改变开关管T3输入的数据信号S,即可调整驱动管T1的栅极电压,从而控制驱动电流Id的大小,相应控制发出的光的亮度,流入有机发光二极管OLED中的驱动电流Id由如下等式得到:

Id=12k(Vgs-Vth)2]]>

其中,μeff表示构成驱动管T1沟道的半导体薄膜的场效应迁移率,Cox表示驱动管T1的栅绝缘层的电容,W表示驱动管T1的沟道宽度,L表示驱动管T1的沟道长度,k表示增益因子,Vgs表示驱动管T1的栅极相对于源极的电压,Vth表示驱动管T1的阈值电压,根据上式可知,阈值电压的值影响流入有机发光二极管OLED的驱动电流的值。

采用低温多晶硅TFT电路时,对于图1所示的像素电路,由于在激光晶化过程中的不均匀,面板上不同像素驱动管的阈值电压会有所不同,不同的阈值电压导致OLED的驱动电流Id有所差异,进而导致OLED的亮度不一致,使整个AMOLED显示屏亮度不均匀。

另外,随着工作时间的延长,OLED的老化也会引起自身开启电压的升高,从而导致显示屏亮度下降。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有的AMOLED像素电路造成的显示屏亮度不均匀的问题,提出了一种像素驱动电路。

本发明的技术方案是:一种像素驱动电路,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管,第一电容和发光器件,其中,

第三晶体管的第一电流导通极与外部电源相连,第二电流导通极与第一晶体管的第一电流导通极相连;第六晶体管的第一电流导通极与第一晶体管的第二电流导通极、发光器件的阳极、第一电容的第一端相连;发光器件的阴极耦接至地电位;

第四晶体管的第一电流导通极与外部电源相连,第四晶体管的第二电流导通极、第二晶体管的第一电流导通极和第五晶体管的第一电流导通极相连;第五晶体管的第二电流导通极、第二晶体管的控制极、第一晶体管的控制极、第一电容的第二端相连;第二晶体管的第二电流导通极与外部的脉冲信号相连;

第三晶体管的控制极、第五晶体管的控制极和第六晶体管的控制极与外部的第一扫描信号相连;

第四晶体管的控制极与外部的第二扫描信号相连;

第六晶体管的第二电流导通极与数据信号相连。

或者

所述第三晶体管为P沟道多晶硅薄膜晶体管,所述第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管为N沟道多晶硅薄膜晶体管,

所述第一扫描信号、第二扫描信号、脉冲信号和数据信号的每一周期的控制时序分为三个阶段进行,具体的控制时序如下:

在第一阶段,第一扫描信号和第二扫描信号由低电平变为并保持第一高电平,脉冲信号由第二高电平变为并保持地电位,数据信号由地电位变为并保持数据电位;在第二阶段,第一扫描信号保持第一高电平,脉冲信号保持地电位,数据信号保持数据电位,第二扫描信号变为并保持低电平;在第三阶段,第一扫描信号变为并保持低电平,第二扫描信号保持低电平,脉冲信号变为并保持第二高电平,数据信号变为并保持地电位;所述数据电位小于地电位。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川虹视显示技术有限公司,未经四川虹视显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410790325.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top