[发明专利]平面光源和用于制造发光器件的方法

权利要求书

1.一种平面光源，其包括导光板和发光装置，所述发光装置被设置在所述导光板的侧表面上并且朝所述侧表面发射白光，其中，来自所述发光装置的光穿过所述导光板的所述侧表面入射到所述导光板中，并且光从所述导光板的平面主表面被发射，

所述发光装置包括：

发射蓝光的发光器件，其包括衬底以及设置在所述衬底的主表面上的第III族氮化物半导体层；

壳体，所述壳体具有在其中容纳所述发光器件的凹部；以及

密封树脂，所述密封树脂填充所述凹部以使所述发光器件密封并且所述密封树脂混合有黄色荧光材料，

其中，所述发光器件在俯视图中具有矩形形状，所述半导体层的长边侧表面为具有倾斜度的倒锥状以使得沿平行于所述衬底的所述主表面的平面的横截面面积随着与所述主表面的距离增加而增大，短边侧表面垂直于所述衬底的所述主表面，或者所述短边侧表面为具有倾斜度的正锥状以使得沿平行于所述衬底的所述主表面的平面的横截面面积随着与所述主表面的距离增加而减小，并且

其中，所述发光装置相对于所述导光板被设置成使得：所述发光器件的短边方向垂直于所述导光板的所述平面主表面；所述发光器件的长边方向平行于所述导光板的所述平面主表面；并且垂直于所述发光器件的所述衬底的所述主表面的方向垂直于所述导光板的所述侧表面。

2.根据权利要求1所述的平面光源，其中，所述发光器件的所述长边侧表面相对于所述衬底的所述主表面倾斜5°至85°。

3.根据权利要求1所述的平面光源，其中，所述发光器件的所述长边侧表面相对于所述衬底的所述主表面倾斜30°至75°。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的平面光源，其中，所述导光板的厚度在所述壳体的所述凹部的开口的短边的宽度的一倍至十五倍的范围内。

5.一种用于制造在衬底的主表面上具有第III族氮化物半导体层的发光器件的方法，所述方法包括：

在形成所述半导体层之后，形成元件分隔凹槽中的仅长边凹槽，所述元件分隔凹槽被形成为矩形栅格图案以将所述半导体层划分成多个元件；以及

对所述半导体层的在所述长边凹槽中露出的侧表面进行湿法蚀刻，使所述侧表面成为具有倾斜度的倒锥状以使得沿平行于所述衬底的所述主表面的平面的横截面面积随着与所述衬底的距离增加而增大。

6.根据权利要求5所述的用于制造发光器件的方法，其中，

所述衬底包括蓝宝石，在形成所述仅长边凹槽时，通过激光处理形成所述凹槽，并且在所述半导体层的靠近所述衬底的区域中形成改性部；并且

在进行所述湿法蚀刻时，使用所述改性部作为湿法蚀刻的起点使所述半导体层的所述侧表面为倒锥状。

7.根据权利要求5或6所述的用于制造发光器件的方法，其中，在进行所述湿法蚀刻时，将所述发光器件的所述长边侧表面蚀刻成相对于所述衬底的所述主表面倾斜5°至85°。

8.根据权利要求5或6所述的用于制造发光器件的方法，其中，在进行所述湿法蚀刻时，将所述发光器件的所述长边侧表面蚀刻成相对于所述衬底的所述主表面倾斜30°至75°。