[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201410790667.6 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN105304671A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 楊熙正;韩奎元;扈源俊;郑在奎 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求享有于2014年7月14日提交的韩国专利申请No.10-2014-0088287的优先权,为了所有目的在此援引该专利申请作为参考,如同完全在这里阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种用于显示图像的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展,对显示图像的显示装置的各种需求预期增加,近年来,已使用各种显示装置,如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光二极管显示(OLED)装置。这些显示装置每个都包括适于相应显示装置的显示面板。
显示装置中包括的这种显示面板可以是由一个基板制造出的多个显示面板之一。就是说,通过多个工艺以显示面板为单位在一个基板中形成组成像素的元件、信号线、电源线等,然后通过使用划线设备将基板切割成单位显示面板,从而制造出多个显示面板。
入射到显示装置上的外部光被显示装置的组成元件,如配线反射,反射的光发射到显示装置外部。这会导致与从显示装置输出的图像重叠,由此降低图像的质量。因此,需要一种减小入射光的反射的技术。
发明内容
鉴于此,本发明的一个方面是提供一种显示装置及其制造方法,所述显示装置包括用于减小当从显示装置去除偏振膜或偏振片时在白色像素区域中产生的外部光的反射的低反射层。
根据本发明的一个方面,提供了一种有机发光显示装置,包括:在基板上布置于第一方向上的数据线;在所述基板上布置于第二方向上的栅极线;布置在所述栅极线和所述数据线的交叉部分处的薄膜晶体管;与所述薄膜晶体管的源极电极或漏极电极连接并对应于白色像素区域的像素电极;与所述白色像素区域相对布置的低反射层;和与所述薄膜晶体管相对布置的遮光层。
根据本发明的另一个方面,提供了一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:在基板上的限定多个像素区域的显示区域中形成遮光层,所述多个像素区域通过在所述基板上用于传输栅极信号的栅极配线和用于传输数据信号的数据配线的交叉而形成,所述遮光层对应于每个像素区域;在所述遮光层上形成缓冲层、有源层、栅极和层间介电层;在所述层间介电层的源极电极/漏极电极区域中形成低反射层并在白色像素区域中形成低反射层;和形成源极电极/漏极电极。
根据本发明的再一个方面,提供了一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括:在基板上的限定多个像素区域的显示区域中形成遮光层,所述多个像素区域通过在所述基板上用于传输栅极信号的栅极配线和用于传输数据信号的数据配线的交叉而形成,所述遮光层对应于每个像素区域;在所述遮光层上形成缓冲层和有源层;形成栅极介电层;在所述栅极介电层上形成低反射层并在所述缓冲层的白色像素区域中形成低反射层;和形成栅极、层间介电层、和源极电极/漏极电极。
如上所述,本发明提供了一种显示装置及其制造方法,所述显示装置包括用于减小当从显示装置去除偏振膜或偏振片时在白色像素区域中产生的对外部光的反射的低反射层。
附图说明
本发明上述和其他的目的、特征和优点将从下面结合附图的详细描述变得更加显而易见,其中:
图1是图解根据本发明实施方式的显示装置的示意图;
图2是显示通过应用偏振片来限制对周围入射光的反射的例子的视图;
图3是显示当去除偏振片时白色像素区域中的光反射的视图;
图4A到4C图解了本发明的实例1-1;
图5A和5B图解了本发明的实例1-2;
图6A到6C图解了根据本发明的实例2-1,通过在对应于薄膜晶体管的区域中形成多层膜来获得低反射效果的例子;
图7A和7B图解了根据本发明的实例2-2,通过同一工艺在对应于薄膜晶体管的区域中形成多层膜并还在像素区域中形成多层膜来获得低反射效果的例子;
图8A和8B图解了根据本发明的实例2-3,通过在薄膜晶体管的源极电极/漏极电极部分或栅极部分中形成低反射层并还在像素区域中形成多层膜来实现空腔效应(cavityeffect)并同时获得低反射效果的例子;
图9A和9B图解了根据本发明的实例2-4,通过在对应于像素区域的部分中形成有源层来实现空腔效应和低反射效果的例子;
图10是图解根据本发明一实施方式在同一工艺中形成遮光层和用于白色像素区域的低反射层的工序的流程图;
图11是图解根据本发明一实施方式在同一工艺中形成用于源极电极/漏极电极的低反射层和用于白色像素区域的低反射层的工序的流程图;和
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的