[发明专利]一种铽镓石榴石磁光晶体的生长方法

权利要求书

1.一种铽镓石榴石磁光晶体的生长方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）原料处理：将原料Tb4O7和Ga2O3分别通过硅钼马弗炉烧结，烧结温度为1400-1500摄氏度，并恒温30个小时，去除潮气及其他矿物杂质；

（2）原料配制：将原料Tb4O7和Ga2O3按照按Ga：Tb=3:5的摩尔比计算称料；

（3）压制成型：将上述配好的原料经过自动混料机混料后，通过压制机压成圆片型；

（4）抽真空：在抽真空之前，先检查排气阀是否打紧，防止在抽真空的过程中漏气；启动控制柜，打开机械泵，进行抽真空；

（5）设置系统：晶体生长采用自动控制称重系统，采用JPG自动控制软件，设定晶体类型的浓度、尺寸、外型、及长度设定入软件，产品参数计入计算机自动控制工艺参数自动生长；

（6）升温熔料：在升温熔料的过程中，根据原料熔化下塌的情况，缓慢的提升埚位，使得原料均匀融化；

（7）下籽晶：首先根据炉内情况调整温度，并进行恒温，同时下降籽晶进行预热，调节晶体转速为15r/min，当调温恒温一段时间后，将籽晶摇下与熔体接触，仔细观察并调整炉温，恒温30-60min；

（8）引晶：开启提拉电源，调拉速为1.0-2.0mm/h；

（9）放肩：在放肩的过程中，程控一般为负值，随着放肩的直径变大，程控值也加大，直到开始转肩，放肩到Φ20mm时，拉速以每小时0.1mm下调到1mm/h；

（10）拉伸：当生长长度达到70mm时，拉速由1.5-2.5mm/h以每小时降低0.1mm降至1.5mm/h，根据工艺要求，确定所要拉的长度；

（11）停炉：结束生长时，人工提起晶体使其脱离液面，然后停拉缓慢退火至室温，退火时间为20-40h。

2.据权利要求1所述的铽镓石榴石磁光晶体的生长方法，其特征在于：步骤4具体为：启动控制柜，打开机械泵，将三通阀门缓慢拉开，真空度达到-0.06MPa时，完全打开三通阀门，等5-10分钟开启真空测量仪，当15Pa时，关闭三通阀门，打开循环水，开启扩散泵，打开挡板阀；当真空度达到1-0.1Pa时，记录真空值，进行预加热，先开启加热电源，手动升OP值，使电流电压表有启动，再设置Prl为3600uv/h，PL1为3mv，继续抽真空。

3.据权利要求1所述的铽镓石榴石磁光晶体的生长方法，其特征在于：步骤6具体为：当原料塌平于埚时，升至平晶埚位，继续观察化料情况，并根据化料情况缓慢提升埚位，当埚内浮块小于Φ20mm时，升至引晶埚内，并放气到20KPa；升至引晶埚位后，缓慢调整温度变化，调温至浮块刚好熔完，恒温均化。

4.据权利要求1所述的铽镓石榴石磁光晶体的生长方法，其特征在于：所述熔炉内充入氩气气体，熔炉采用石墨电阻加热。

5.据权利要求1所述的铽镓石榴石磁光晶体的生长方法，其特征在于：所述铽镓石榴石磁光晶体在钼坩埚中生长。