[发明专利]一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉

权利要求书

1.一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：包括绝热外壳(24)及设置在绝热外壳(24)内的生长室(23)，生长室(23)设置有坩埚(20)，绝热外壳(24)的外部设置有用于对坩埚(20)进行加热的主电磁感应线圈(5)，所述主电磁感应线圈(5)的下方设置有副电磁感应线圈(4)，主电磁感应线圈(5)和副电磁感应线圈(4)之间存在间距，有多根底部进气管(1)和多根中部进气管(2)伸入绝热外壳(24)内，绝热外壳(24)的顶部设置有气流出口(3)，所述气流出口(3)作为籽晶杆(16)的移动通道，所述绝热外壳(24)内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板(8)和用于调整生长室(23)局部温度的顶部辅助电阻加热器(6)，所述可伸缩遮热板(8)能调整伸入生长室(23)的长度，可伸缩遮热板(8)和顶部辅助电阻加热器(6)均位于坩埚(20)的上方。

2.根据权利要求1所述的一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：所述绝热外壳(24)包括底座(9)及放置在底座(9)上的外绝热层(11)，外绝热层(11)上承接有顶盖(12)，外绝热层(11)的内腔套装有顶部绝热层(13)，顶盖(12)位于顶部绝热层(13)的上方，所述气流出口(3)包括设置在顶盖(12)上的上出口和设置在顶部绝热层(13)上的下出口。

3.根据权利要求2所述的一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：所述绝热外壳(24)内设置有能上下移动的可移动绝热层(7)，所述可移动绝热层(7)两端开口呈筒形并围住坩埚(20)，可移动绝热层(7)位于底部进气管(1)和中部进气管(2)之间。

4.根据权利要求3所述的一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：所述绝热外壳(24)内设置有内绝热层，内绝热层与顶部绝热层(13)、底座(9)围成所述的生长室(23)；所述内绝热层包括上部绝热层(21)和下部绝热层(22)，所述可伸缩遮热板(8)置于上部绝热层(21)和下部绝热层(22)之间，所述上部绝热层(21)的顶端和下部绝热层(22)的底端分别与顶部绝热层(13)和底座(9)固定连接，所述可移动绝热层(7)围住下部绝热层(22)，所述中部进气管(2)和底部进气管(1)均穿过下部绝热层(22)。

5.根据权利要求1所述的一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：所述顶部辅助电阻加热器(6)呈筒形，其开口朝下，顶部设置有便于籽晶杆(16)穿过的通孔，其对称轴与绝热外壳(24)的轴线重合且安装在顶部绝热层(13)与可伸缩遮热板(8)之间。

6.根据权利要求1所述的一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：所述绝热外壳(24)内设置有底部绝热层(10)及安装在底部绝热层(10)上的可旋转支座(14)，所述坩埚(20)设置在可旋转支座(14)上。

7.根据权利要求1所述的一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：所述多根底部进气管(1)沿绝热外壳(24)的周向均匀分布，其个数为偶数。

8.根据权利要求1所述的一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：所述多根中部进气管(2)沿绝热外壳(24)的周向均匀分布，其个数与底部进气管(1)相同，并且每根中部进气管(2)与设置在其正下方的一根底部进气管(1)成对平行排列。

9.根据权利要求1所述的一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：所述可伸缩遮热板(8)由三个弧形块组成，每个弧形块的弧度为120°，每个弧形块均能沿绝热外壳(24)的径向移动从而相互分开或靠拢，弧形块相互靠拢接触后能形成环形盘。

10.根据权利要求1所述的一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，其特征在于：所述主电磁感应线圈(5)的圈数为7～9圈，副电磁感应线圈(4)的圈数为3～5圈，所述主电磁感应线圈(5)其可沿绝热外壳(24)的轴向上下移动，其移动行程为3～5cm。