[发明专利]半导体封装用化合物、感光树脂组成物及半导体封装结构

说明书

技术领域

本发明是关于一种用于半导体封装的化合物，以及一种包含该化合物与光反应型聚酰亚胺之感光树脂组成物及其半导体封装结构。

背景技术

聚酰亚胺(Polyimide，PI)因其具有适用温度广、耐化学腐蚀、高强度、耐候性、耐辐射及优异的电气特性等优点而被广泛地应用于半导体工业。其应用型态以薄膜和涂料为主，主要应用在IC涂布、黏合、及封装制程上。其中，涂布材料是作为IC的保护膜以及作为多层配线的层间绝缘层；黏贴材料则是接合IC和导线架；封装材料则是将整个IC包在导线架上。

常见的聚酰亚胺又分为非光反应型聚酰亚胺及光反应型聚酰亚胺两种，其中，光反应型聚酰亚胺又称为感旋光性聚酰亚胺或光敏感性聚酰亚胺，其只对例如UV光、激光光、电子束、离子束等高能辐射具有光敏感性。故光反应型聚酰亚胺可用于需要利用显影制程来制作电路图形之半导体组件的制程中。当光反应型聚酰亚胺用于显影制程中时，不同于需要在曝光显影完成后被移除的一般光阻剂，光反应型聚酰亚胺在曝光显影完成后会被保留在组件上，而毋需另外移除光阻剂的制程从而进一步简化半导体组件的制程步骤。

光反应型聚酰亚胺大致上可分为正型聚酰亚胺与负型聚酰亚胺，其中，正型聚酰亚胺于曝光后，曝光区的溶解度增加，从而可利用适当的溶剂溶去曝光区的聚酰亚胺；而负型聚酰亚胺于曝光后，曝光区的溶解度降低，从而可利用适当的溶剂溶去未曝光区的聚酰亚胺。

日本东丽(Toray)公司(参见美国专利US20110284855、US20140005318)、索尼化学&信息部件股份有限公司(SONYCHEMICAL&INFORMATIONDEVICECORPORATION)(参见美国专利US8445621)皆开发出相较于传统的光反应型聚酰亚胺材料更适用于制造半导体组件的光反应型聚酰亚胺，此些光反应型聚酰亚胺与交联剂混合而于曝光后产生交联反应，从而进一步利用溶解度的差异产生图案。然而，为因应体积更加轻薄及更高辨识度的半导体的需求，需进一步开发具有改良性质的包含光反应型聚酰亚胺之感光树脂组成物。

发明内容

有鉴于上述现有技术的问题，本发明的目的在于提出一种可用作为交联剂以进一步提升辨识度的化合物、具有改良性质的包含该化合物与光反应型聚酰亚胺之感光树脂组成物及其半导体封装结构。

根据本发明之一目的，提出一种由化学式1表示的化合物：

化学式1；其中n为1～15之间的整数。

根据本发明的另一目的，提出一种感光树脂组成物，其包含由化学式1表示的化合物、光起始剂及光反应型聚酰亚胺。

较佳的，光反应型聚酰亚胺可包含：芳香族聚酰亚胺骨架以及第一侧链与第二侧链，其中第一侧链及第二侧链各包括接枝到芳香族聚酰亚胺骨架上的(甲基)丙烯酰基团。

较佳的，芳香族聚酰亚胺骨架可包含由化学式1-1、化学式1-2及化学式1-3中的其一或其组合表示的重复单元A：

化学式1-1，

化学式1-2，

化学式1-3；其中Ar1为及中的其一或其组合；X为及中的其一或其组合；Y为与第一侧链及第二侧链键结之-O-；且a、a’及a”各独立地为大于1的整数。

较佳的，光反应型聚酰亚胺可由以下化学式1-A表示：

化学式1-A。

较佳的，光反应型聚酰亚胺可由以下化学式1-B表示：

化学式1-B。

此外，本发明更提出一种半导体封装结构，其包含半导体芯片及封装复数个半导体芯片的绝缘层，其中绝缘层可藉由固化包含由化学式1表示的化合物、光起始剂及光反应型聚酰亚胺之感光树脂组成物所形成。

较佳的，感光树脂组成物中所包含的光反应型聚酰亚胺为由上述化学式1A或化学式1B所表示的光反应型聚酰亚胺。

本发明所提供的包含上述化合物与光反应型聚酰亚胺之感光树脂组成物用于半导体组件的制造，可达到简化半导体组件制程步骤及提高半导体组件的辨识度之目的，从而提供具有改良性质的半导体封装结构。

附图说明

图1为由化学式1表示的化合物的NMR光谱图；

图2a为显示根据本发明范例的实验结果图；

图2b为显示根据本发明比较例的实验结果图。

具体实施方式