[发明专利]一种电路控制系统及控制方法

权利要求书

1.一种电路控制系统，其特征在于，包括：

控制电路、驱动电路、负载电路、电源输入端和电源输出端，其中：

所述控制电路与所述驱动电路相连，所述驱动电路与所述负载电路相连，所述驱动电路和所述负载电路的第一连接点与所述电源输入端相连，所述驱动电路和所述负载电路的第二连接点与地线相连；所述电源输出端与所述负载电路相连。

2.根据权利要求1所述的控制系统，其特征在于，所述驱动电路包括分压电路、光电隔离电路、恒流电路和二极管，所述分压电路与所述光电隔离电路相连，所述光电隔离电路与所述恒流电路相连，所述恒流电路与所述二极管相连，所述二极管与地线相连。

3.根据权利要求2所述的控制系统，其特征在于，所述负载电路包括P沟道MOSFET场效应管、整流二极管和负载，其中：所述P沟道MOSFET场效应管的漏极与所述整流二极管的正极相连，源极连接所述分压电路，栅极与所述光电隔离电路及所述控制电路相连；所述整流二极管的负极与所述负载的一端相连，所述负载的另一端与所述地线连接。

4.根据权利要求3所述的控制系统，其特征在于，所述电源输入端位于所述分压电路与所述P沟道MOSFET场效应管的源极的连接线上；

所述电源输出端位于所述整流二极管与所述负载的连接线上。

5.根据权利要求2所述的控制系统，其特征在于，所述恒流电路包括：

第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第一电阻和第二电阻；所述第一PNP型三极管的基极与发射极之间与第一电阻连接；所述第二PNP型三极管的基极与集电极与所述第二电阻相连，所述第一PNP型三极管的集电极与所述第二PNP型三极管的基极相连；所述第二PNP型三极管的发射极与所述第一电阻相连。

6.根据权利要求3所述的控制系统，其特征在于，所述分压电路包括：

第三电阻和稳压二极管；所述第三电阻与所述稳压二极管并联连接，所述稳压二极管的正极与所述P沟道MOSFET场效应管的栅极相连，所述稳压二极管的负极与所述P沟道MOSFET场效应管的源极相连。

7.根据权利要求2所述的控制系统，其特征在于，所述光电隔离电路具体为光电耦合器。

8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述控制电路包括：

施密特反相器和第四电阻，所述施密特反相器与所述第四电阻串联连接，所述第四电阻与所述光电耦合器串联连接。

9.一种驱动电路控制方法，应用于权利要求1-8任一项所述的电路控制系统，其特征在于，所述方法包括：

所述控制电路控制所述驱动电路形成回路，电源输入端为所述驱动电路提供电源，使所述驱动回路导通；

在所述驱动电路驱动下，所述电源输入端为所述负载电路提供电源，所述负载电路导通。

10.根据权利要求9所述的控制方法，其特征在于，所述负载电路导通包括：

所述控制电路通过施密特反相器发送开通信号，所述光电隔离电路获取开通信号后，所述光电耦合器的集电极和发射机连通，将所述驱动电路导通；

在所述驱动电路中所述稳压二极管的驱动下，所述P沟道MOSFET场效应管的栅极与源极间产生电压差，驱动所述P沟道MOSFET场效应管导通；

所述电源输入端通过所述P沟道MOSFET场效应管、所述整流二极管为所述负载提供电源，所述负载电路导通。