[发明专利]一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备在审
| 申请号： | 201410795888.2 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104465293A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 张庆钊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/141 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 314000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 等离子体 设备 结构 | ||
1.一种应用于等离子体设备的腔室结构，其特征在于，包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极和第一等离子聚焦结构，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述第一等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，呈中空结构且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布。
2.如权利要求1所述的腔室结构，其特征在于，所述第一等离子体聚焦结构是由金属、陶瓷或石英材料制成。
3.如权利要求2所述的腔室结构，其特征在于，所述第二等离子体聚焦结构为圆筒体或椭圆筒体。
4.如权利要求3所述的腔室结构，其特征在于，还包括：
第二等离子体聚焦结构，所述第二等离子体聚焦结构与所述第一等离子体聚焦结构连接，所述第二等离子体聚焦结构为一个倒锥形体。
5.如权利要求4所述的腔室结构，其特征在于，所述第一等离子体结构与所述第二等离子体聚焦结构是一体成型的。
6.一种等离子体设备，其特征在于，所述设备包括：
等离子设备本体；
腔室结构，设置在所述等离子设备本体中，所述腔室结构包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极和第一等离子聚焦结构，所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部，所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部，所述衬底设置在所述下电极的上部，所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部，所述第一等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部，呈中空结构且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部，用于控制所述等离子体的流体分布。
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