[发明专利]一种用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法

说明书

本发明公开了一种用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法，包括：在预制基底上形成半导体材料层；在半导体材料层上形成中间层；在中间层上涂布光阻材料形成光阻层，并用光罩对光阻层进行第一次曝光；按一预定方向相对于光罩移动具有第一次曝光处理后的光阻层的预制基底，并采用光罩对所述光阻层进行第二次曝光；去除光阻层上受到曝光的光阻材料，以在光阻层上形成光阻区和镂空区，其中，光阻区包括中心部和翼部，镂空区不包含光阻材料；在半导体材料层中形成对应于翼部的离子轻掺杂区，以及对应于镂空区的用于形成源漏极的离子重掺杂区。本发明可以在制作LTPS面板时，减少面板的制作工序并能降低面板的生产成本。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管制作技术领域，具体地说，涉及一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法。

背景技术

近年来，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，即低温多晶硅)面板在高端手机、平板电脑上获得了广泛应用。LTPS面板采用高迁移率的低温多晶硅来制作薄膜晶体管。这种面板具有高分辨率、低功耗、高反应速度、高开口率等优点，有望成为下一代主流的中小尺寸显示面板。

在LTPS面板上，像素的充放电控制、静电释放元件、分路器元件、栅极在阵列基板上的驱动元件都常会采用薄膜晶体管。普通低温多晶硅结构的薄膜晶体管漏电较高，为减少漏电常需要在薄膜晶体管的漏极及源极制作LDD(lightly doped drain，轻掺杂漏极)区，用低掺杂、高电阻值的LDD区来降低漏电流。

早先的LTPS面板通常需要制作多个光罩来形成LDD区，这样，就会增加面板的制作工序和生产成本。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种简化的用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法用以减少面板的制作工序并降低生产成本。

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于制作多晶硅薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：

在预制基底上形成半导体材料层；

在所述半导体材料层上形成中间层；

在所述中间层上涂布光阻材料形成光阻层，并用光罩对所述光阻层进行第一次曝光；

按一预定方向相对于所述光罩移动具有第一次曝光处理后的光阻层的预制基底，并采用所述光罩对所述光阻层进行第二次曝光；

去除所述光阻层上受到曝光的光阻材料，以在所述光阻层上形成光阻区和镂空区，其中，所述光阻区包括中心部和翼部，所述镂空区不包含光阻材料；

在所述半导体材料层中形成对应于所述翼部的离子轻掺杂区，以及对应于所述镂空区的用于形成源漏极的离子重掺杂区。

根据本发明的一个实施例，所述光罩包括遮光区域和透光区域。

根据本发明的一个实施例，在按预定方向移动所述预制基底时，所述方向及移动的距离配合设计成使得所述光罩的遮光区域覆盖所述光阻层上经过曝光后的区域中的第一部分和所述光阻层上未曝光区域中的第二部分。

根据本发明的一个实施例，所述第一部分的宽度与需生成的离子轻掺杂区的宽度相等。

根据本发明的一个实施例，所述光阻区的中心部由所述光阻层上在经过两次曝光后未被曝光的部分形成，所述光阻区的翼部由所述光阻层上在经过两次曝光后只经过一次曝光的部分形成。

根据本发明的一个实施例，所述预制基底包括栅极金属层及所述栅极金属层上的栅极绝缘层，所述中间层为层间绝缘层。

根据本发明的一个实施例，所述中间层包括栅极绝缘层及该栅极绝缘层上的用于形成栅极的栅极金属层。

根据本发明的一个实施例，形成所述离子轻掺杂区和形成所述离子重掺杂区的步骤包括：