[发明专利]一种基于源和负载耦合的垂直交指滤波器

权利要求书

1.一种基于源和负载耦合的垂直交指滤波器，其特征在于，包括：位于顶部的第一金属接地层(1)、位于底部的第二金属接地层(9)；

在第一金属接地层(1)和第二金属接地层(9)之间，从上倒下依次排列有第一谐振器层(2)、第二谐振器层(3)、第三谐振器层(4)、第四谐振器层(5)、第五谐振器层(6)、第六谐振器层(7)、以及第七谐振器层(8)，每两个相邻的谐振器层之间设置有介质层，在第一金属接地层(1)和第一谐振器层(2)之间设置有介质层，在第七谐振器层(8)和第二金属接地层(9)设置有介质层；每个谐振器层包括金属结构层、以及由金属结构层包围的谐振腔(16)；

所述基于源和负载耦合的垂直交指滤波器还包括至少一个互联通孔(15)，每个互联通孔(15)为导电通孔，每个互联通孔(15)位于第一金属接地层(1)和第二金属接地层(9)之间，并贯穿各个谐振器层和各个介质层；

所述第一谐振器层(2)的侧面设置有馈电端口，所述第七谐振器层(8)的侧面设置有馈电端口；所述基于源和负载耦合的垂直交指滤波器还包括与水平面垂直的同轴线(10)，所述同轴线(10)的上端与所述第一谐振器层(2)的馈电端口水平对齐，所述同轴线(10)的下端与所述第七谐振器层(8)的馈电端口水平对齐，所述同轴线(10)竖直贯穿第二谐振器层(3)、第三谐振器层(4)、第四谐振器层(5)、第五谐振器层(6)、第六谐振器层(7)。

2.如权利要求1所述的一种基于源和负载耦合的垂直交指滤波器，其特征在于，所述每个谐振器层的谐振腔(16)为四分之一波长谐振腔。

3.如权利要求2所述的一种基于源和负载耦合的垂直交指滤波器，其特征在于，每个谐振器层的金属结构层包括位于其外围的外围金属结构(11)、以及从外围金属结构(11)伸入至对应的谐振腔内的金属伸入结构(12)；对于第二谐振器层(3)、第四谐振器层(5)、以及第六谐振器层(7)，每个谐振器层的金属伸入结构(12)从对应的外围金属结构(11)的第一侧伸入对应的谐振腔内；对于第三谐振器层(4)和第五谐振器层(6)，每个谐振器层的金属伸入结构(12)从对应的外围金属结构(11)的第二侧伸入对应的谐振腔内；第一侧为左侧或右侧，当第一侧为左侧时，第二侧为右侧，当第一侧为右侧时，第二侧为左侧。

4.如权利要求1所述的一种基于源和负载耦合的垂直交指滤波器，其特征在于，每个谐振器层的金属结构层包括位于其外围的外围金属结构(11)、以及从外围金属结构(11)伸入至对应的谐振腔内的金属伸入结构(12)，所述第一谐振器层(2)和第七谐振器层(8)具有相同的内部结构；对于第一谐振器层(2)和第七谐振器层(8)，每个谐振器层的金属伸入结构(12)在远离对应的外围金属结构(11)的一端设有长方形的金属片(13)。

5.如权利要求1所述的一种基于源和负载耦合的垂直交指滤波器，其特征在于，所述各个金属接地层、各个介质层、各个谐振器层组合成长方体状的封闭结构。

6.如权利要求1所述的一种基于源和负载耦合的垂直交指滤波器，其特征在于，所述第一谐振器层(2)的馈电端口和所述第七谐振器层(8)的馈电端口位于所述基于源和负载耦合的垂直交指滤波器的同一侧。

7.如权利要求1所述的一种基于源和负载耦合的垂直交指滤波器，其特征在于，每个介质层的材料为Ferro-A6生胚材料。

8.如权利要求1所述的一种基于源和负载耦合的垂直交指滤波器，其特征在于，所述第一谐振器层(2)的馈电端口设置有抽头线(14)，所述第七谐振器层(8)的馈电端口设置有抽头线(14)；

所述同轴线(10)包括位于其外部的金属管状外导体、位于金属管状外导体内部的内导体、以及位于金属管状外导体和内导体之间的绝缘介质，所述内导体的横截面为圆形，所述金属管状外导体中心线与所述内导体的中心线重合，所述内导体的横截面的直径小于抽头线(14)的直径，并且大于所述抽头线(14)的直径的一半。