[发明专利]一种放电管芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201410797320.4 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104485282A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈林;刘志雄 | 申请（专利权）人： | 常熟市聚芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/332 | 分类号： | H01L21/332;H01L21/316 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 朱林 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 放电 芯片 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种放电管芯片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)对硅片的两面同时进行一次氧化，形成一次氧化层；
(2)对硅片一次氧化层的深硼区进行光刻；
(3)深硼扩散，深硼扩散的温度在1050-1150℃范围内，深硼扩散时间在50-100分钟；
(4)深硼氧化，深硼氧化的温度在1220-1270℃范围内，深硼氧化时间在30-120小时；
(5)对硅片的基区进行光刻；
(6)在950-1050℃下进行淡硼扩散，扩散时间为50-100分钟；
(7)在1220-1270℃下进行淡硼氧化，氧化时间为7-15小时；
(8)对硅片的发射区进行光刻；
(9)在1130-1170℃下进行磷扩散，扩散时间为40-60分钟；
(10)对硅片上两芯片之间进行台面槽光刻；
(11)利用硅腐蚀液对台面槽光刻部位进行台面槽腐蚀；
(12)在1150-1190℃下进行氧化，氧化时间为40-100分钟；
(13)对硅片进行双面引线光刻；
(14)对硅片进行双面金属化；
(15)金属光刻；
(16)在真空状态下对硅片进行合金化。
2.根据权利要求1所述的一种放电管芯片的制造方法，其特征在于：在所述步骤(11)中，所述腐蚀液为硅腐蚀液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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