[发明专利]硅异质结太阳能电池的退火、制备方法和电池有效
| 申请号： | 201410798296.6 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN105762225B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张树旺;李宝胜;蔡明;杨富琨;李立伟;郭铁 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅异质结 太阳能电池 退火 制备 方法 电池 | ||
1.一种硅异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，该退火方法包括：
将印制有电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；
采用第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；
其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压。
2.如权利要求1所述的退火方法，其特征在于，所述第一气压与所述第一温度成负相关。
3.如权利要求1所述的退火方法，其特征在于，在采用所述第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理时，所述退火处理的加热时长与所述第一气压成负相关。
4.如权利要求3所述的退火方法，其特征在于，所述退火处理的加热时长的取值范围为2分钟～300分钟。
5.如权利要求1所述的退火方法，其特征在于，在所述密闭容器中，利用通入的惰性气体，采用所述第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理。
6.一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：
在清洗后的晶硅衬底上采用非晶硅薄膜层进行沉积；
在沉积有所述非晶硅薄膜层的晶硅衬底上，沉积背电极薄膜层；
在沉积有所述背电极薄膜层的晶硅衬底上，沉积正电极薄膜层；
采用低温银浆对沉积有所述正电极薄膜层的硅晶衬底进行电极栅线印制；
将印制有所述电极栅线的硅晶衬底置于密闭容器内；
采用第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理；
其中，所述第一温度的取值范围为100℃～300℃；所述第一气压大于1个标准大气压且小于10个标准大气压。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一气压与所述第一温度成负相关。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在采用所述第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理时，所述退火处理的加热时长与所述第一气压成负相关。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的加热时长的取值范围为2分钟～300分钟。
10.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述密闭容器中，利用通入的惰性气体，采用所述第一温度、第一气压，对所述密闭容器内的印制有电极栅线的硅晶衬底进行退火处理。
11.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，该硅异质结太阳能电池根据权利要求6-10中任一项所述的制备方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
