[发明专利]一种用于DRAM中的高速离线驱动器

权利要求书

1.一种用于DRAM中的高速离线驱动器，包括反相器、与非门、或非门、p型MOS管以及n型MOS管，其特征在于：所述与非门和或非门的上升沿匹配，所述与非门和或非门的下降沿匹配。

2.根据权利要求1所述的用于DRAM中的高速离线驱动器，其特征在于：所述与非门包括p型MOS管P0、p型MOS管P1、p型MOS管P2、n型MOS管N0、n型MOS管N1以及n型MOS管N2，输入数据data_in分别输入到p型MOS管P0和n型MOS管N0的栅端，控制信号sel输入到p型MOS管P2和n型MOS管N1的栅端，p型MOS管P1的源端接电源，p型MOS管P1的栅端接地，p型MOS管P1的漏端与p型MOS管P0的源端莲接，n型MOS管N0的漏端与n型MOS管N1的源端连接，n型MOS管N1的漏端接地，p型MOS管P2的源端接电源，n型MOS管N2的栅端和漏端均接地，p型MOS管P0的漏端、n型MOS管N0的源端、p型MOS管P2的漏端以及n型MOS管N2的源端均连接后与p型MOS管的栅端连接。

3.根据权利要求1或2所述的用于DRAM中的高速离线驱动器，其特征在于：所述或非门包括p型MOS管P3、p型MOS管P4、p型MOS管P5、n型MOS管N3、n型MOS管N4以及n型MOS管N5，输入数据data_in分别输入到p型MOS管P3和n型MOS管N3的栅端，所述反相器(INV)的输出端输出反相控制信号sel_n，反相控制信号sel_n输入到p型MOS管P4和n型MOS管N5的栅端，p型MOS管P4的源端接电源，p型MOS管P4的漏端与p型MOS管P3的源端连接，n型MOS管N3的漏端与n型MOS管N4的源端连接，n型MOS管N4的漏端接地，p型MOS管P5的源端和栅端均接电源，n型MOS管N5的漏端接地，p型MOS管P3的漏端、n型MOS管N3的源端、p型MOS管P5的漏端以及n型MOS管N5的源端均连接后与n型MOS管的栅端连接。