[发明专利]减缓DLC薄膜石墨化的处理方法

权利要求书

1.一种减缓DLC薄膜石墨化的处理方法，其特征在于，该方法为：在所述DLC薄膜表面直接沉积电极，当通过可调直流电源向所述电极施加偏置电压时，所述DLC薄膜两侧产生横向或者纵向电场。

2.根据权利要求1所述的减缓DLC薄膜石墨化的处理方法，其特征在于：所述电极连接在可调直流电源的两侧，所述电极与直流电源之间设置电阻。

3.根据权利要求1所述的减缓DLC薄膜石墨化的处理方法，其特征在于：所述DLC薄膜表面的两侧分别直接沉积电极。

4.根据权利要求1所述的减缓DLC薄膜石墨化的处理方法，其特征在于：所述DLC薄膜表面的一侧直接沉积一个电极，位于所述DLC薄膜下方的基片的同一侧直接沉积另一个电极。

5.根据权利要求1所述的减缓DLC薄膜石墨化的处理方法，其特征在于：所述DLC薄膜表面的一侧直接沉积一个电极，位于所述DLC薄膜下方的基片的另一侧直接沉积另一个电极。

6.根据权利要求3或4或5所述的减缓DLC薄膜石墨化的处理方法，其特征在于，所述DLC薄膜表面直接沉积电极或者所述DLC薄膜下方的基片直接沉积另一个电极；当所述电极为金属铝电极时，采用直流磁控溅射进行沉积，具体为：通过控制计算机，开启机械泵和分子泵、预阀，关闭分子泵预抽阀，用机械泵将真空室内的气压抽至3.3帕；再关闭预阀，打开分子泵预抽阀和电离规，将插板阀调至全开，用分子泵和机械泵将真空室内气压抽到4.0×10^-4帕；电极沉积过程中主要控制溅射功率和工作气压，设置溅射功率为75W，沉积时间30min，氩气流量30sccm。

7.根据权利要求3或4或5所述的减缓DLC薄膜石墨化的处理方法，其特征在于，所述DLC薄膜表面直接沉积电极或者所述DLC薄膜下方的基片直接沉积另一个电极，具体为：当所述电极为金属钛电极时，采用直流磁控溅射进行沉积，具体为：通过控制计算机，开启机械泵和分子泵、预阀，关闭分子泵预抽阀，用机械泵将真空室内的气压抽至2.7帕；再关闭预阀，打开分子泵预抽阀和电离规，将插板阀调至全开，用分子泵和机械泵将真空室内气压抽到2.0×10^-3帕；电极沉积过程中主要控制溅射功率和工作气压，设置溅射功率为50W，沉积时间25min，氩气流量40sccm。

8.根据权利要求3或4或5所述的减缓DLC薄膜石墨化的处理方法，其特征在于，所述DLC薄膜表面直接沉积电极或者所述DLC薄膜下方的基片直接沉积另一个电极，具体为：当所述电极为金属铜电极时，采用直流磁控溅射进行沉积，具体为：通过控制计算机，开启机械泵和分子泵、预阀，关闭分子泵预抽阀，用机械泵将真空室内的气压抽至2.4帕；再关闭预阀，打开分子泵预抽阀和电离规，将插板阀调至全开，用分子泵和机械泵将真空室内气压抽到3.0×10^-4帕；电极沉积过程中主要控制溅射功率和工作气压，设置溅射功率为95W，沉积时间40min，氩气流量25sccm。