[发明专利]一种由氢氧化镁制备高纯硅钢级氧化镁的工艺有效

专利信息
申请号: 201410798736.8 申请日: 2015-08-04
公开(公告)号: CN104495881A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 徐徽;廖浩然;程俊峰;李贵 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C01F5/02 分类号: C01F5/02
代理公司: 长沙市融智专利事务所 43114 代理人: 魏娟
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 氢氧化镁 制备 高纯 硅钢 氧化镁 工艺
【权利要求书】:

1.一种由氢氧化镁制备高纯硅钢级氧化镁的工艺,其特征在于,氢氧化镁经500~750℃轻烧后,加入到水中,先升温到73~98℃进行水化,再调节温度到60~80℃,同时向水中缓慢加入碳酸氢铵溶液进行碳化,得到悬浮液;将悬浮液过滤,过滤所得滤渣经洗涤、干燥后,再置于1050~1150℃温度下煅烧,即得高纯硅钢级氧化镁。

2.如权利要求1所述的工艺,其特征在于,轻烧的温度为630~670℃。

3.如权利要求1所述的工艺,其特征在于,煅烧的温度为1080~1120℃。

4.如权利要求1~3任一项所述的工艺,其特征在于,轻烧的时间为0.5~2h;煅烧时间为1~2h。

5.如权利要求1所述的工艺,其特征在于,水化的时间为0.5~2h;碳化的时间为2~4h。

6.如权利要求1所述的工艺,其特征在于,碳酸氢铵溶液的加入速率为0.1~0.3L/h,其中,碳酸氢铵溶液的浓度为0.5~0.8mol/L,碳酸氢铵的加入量为碳化反应理论摩尔量的1~1.5倍。

7.如权利要求1所述的工艺,其特征在于,轻烧的过程是:将氢氧化镁置于炉中,以5~10℃/min的升温速率升温到500~700℃进行轻烧。

8.如权利要求1所述的工艺,其特征在于,煅烧的过程是:经洗涤、干燥后的过滤渣置于炉中,以3~8℃/min的升温速率升温到1050~1150℃进行煅烧。

9.如权利要求1所述的工艺,其特征在于,所述的干燥是在温度为100~120℃的条件下干燥20~28h。

10.如权利要求1所述的工艺,其特征在于,氢氧化镁的轻烧产物按固液比1g/15~25mL加入水中进行水化。

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