[发明专利]一种半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201410799354.7 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104599972B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 杨彦涛;赵金波;江宇雷;陈文伟;杨雪 | 申请（专利权）人： | 成都士兰半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 610404 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件形成方法，其特征在于，包括：
提供具有特定掺杂类型的半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成介质层；
刻蚀所述介质层和半导体衬底形成沟槽；
在所述沟槽内壁以及介质层上形成阻挡层；
采用与所述半导体衬底的掺杂类型相反的液态掺杂源进行扩散工艺，所述液态掺杂源覆盖所述阻挡层表面，并在所述沟槽全部侧壁和底壁周围的半导体衬底中形成与所述半导体衬底的掺杂类型相反的掺杂区；
去除所述阻挡层、液态掺杂源以及介质层；以及
在所述沟槽中形成填充层。
2.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述阻挡层是二氧化硅。
3.如权利要求2所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围为
4.如权利要求2所述的半导体器件形成方法，其特征在于，采用高温生长工艺形成所述阻挡层，所述高温生长工艺的温度范围为1000～1200度。
5.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述半导体衬底的掺杂类型为P型时，所述液态掺杂源的掺杂类型为N型；所述半导体衬底的掺杂类型为N型时，所述液态掺杂源的掺杂类型为P型。
6.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述扩散工艺在氮气和氧气的氛围下进行，温度范围为900～1250度。
7.如权利要求6所述的半导体器件形成方法，其特征在于，经过扩散工艺后掺杂区的方块电阻范围为0.5～23ohm/□。
8.如权利要求1所述的半导体器件形成方法，其特征在于，在所述沟槽中形成填充层的步骤包括：
在所述沟槽中以及半导体衬底表面沉积填充材料；以及
对所述半导体衬底的表面进行平坦化处理，去除所述半导体衬底表面的填充材料，以在所述沟槽中形成填充层。
9.如权利要求8所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述填充层是二氧化硅或者非掺杂多晶硅。
10.如权利要求8所述的半导体器件形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺或者回刻工艺对所述半导体衬底表面进行平坦化处理。
11.如权利要求1至9中任一项所述的半导体器件形成方法，其特征在于，所述半导体器件是超结金属氧化物半导体场效应晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
