[发明专利]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201410799551.9 | 申请日: | 2014-12-19 |
公开(公告)号: | CN104460157B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 占伟;申智渊;杜海波 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L23/50 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地说,涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器已经成为最为常见的显示装置。
另一方面,随着智能电子产品的普及,电容式触控屏也被广泛的应用于手机、平板电脑等各种电子产品中。目前较为多见的电容式触控屏有OGS(One glass solution)、on-cell和in-cell三种技术。其中,in-cell技术由于其制作工艺上的优势,相比OGS技术和on-cell技术,具有更加轻薄、透光性更好、结构更加稳定等优点。
本发明人在实现本发明的过程中发现,现有技术至少存在以下技术问题:采用in-cell技术的液晶显示器中,至少需要增设寻址线及相应的绝缘层等结构。在阵列基板的制造过程中,需要增加至少一次构图工艺(Photo Engraving Process,简称PEP),因此现有技术存在阵列基板的制造过程过于复杂的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及显示装置,以解决现有的in-cell技术中,阵列基板的制造过程过于复杂的技术问题。
本发明提供一种阵列基板,包括若干个像素单元,每个所述像素单元中设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT),所述薄膜晶体管的低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,简称LTPS)下方设置有遮光层;
所述阵列基板还包括若干公共电极和若干寻址线;
所述公共电极用于为相应的像素单元提供公共电压,也用于产生触控信号;
所述寻址线与相应的公共电极连接,且所述寻址线与所述遮光层位于同一图层。
进一步的是,所述寻址线的侧边设置有凸出部,所述公共电极与所述寻址线的凸出部连接。
进一步的是,该阵列基板还包括若干扫描线和若干数据线。
优选的是,所述寻址线位于所述数据线的正下方。
或者,所述寻址线位于所述扫描线的正下方。
优选的是,所述寻址线为金属材料。
进一步的是,所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
优选的是,一个所述公共电极对应一个或多个所述像素单元。
本发明还提供一种显示装置,包括彩膜基板和上述的阵列基板。
进一步的是,所述显示装置为边缘场开关型(Fringe Field Switching,简称FFS)液晶显示器。
本发明带来了以下有益效果:一般采用LTPS的薄膜晶体管大多是顶栅型薄膜晶体管,为了防止薄膜晶体管的沟道区域在受到背光源的光照情况下出现光生电流的问题,通常会在LTPS下方设置遮光层(Light Shielding Layer)。
本发明提供的阵列基板中,将用于传输触控信号的寻址线与用于遮光的遮光层设置在同一图层。在阵列基板的制造过程中,寻址线和遮光层可以在同一次构图工艺中同步形成,从而不需要单独为了形成寻址线增加构图工艺的次数,简化了阵列基板的制造过程。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍:
图1是本发明实施例提供的阵列基板的平面示意图;
图2是图1中沿A-A线的剖面示意图;
图3是本发明实施例提供的阵列基板的另一种实施方式的平面示意图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题,并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是,只要不构成冲突,本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合,所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
如图1和图2所示,本发明实施例提供一种阵列基板,该阵列基板中包括若干个像素单元,每个像素单元中设置有薄膜晶体管1及像素电极2。
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