[发明专利]半导体圆片级封装结构有效
| 申请号： | 201410800043.8 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104617069A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 徐小锋 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 圆片级 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体圆片级封装结构，包括半导体芯片、再配线电极、再形成电极层和金属锡球；
其特征在于，还包括树脂层；
其中：
所述再配线电极形成于所述半导体芯片上；
所述再形成电极层形成于所述再配线电极之上；
所述金属锡球与所述再形成电极层焊接；
所述树脂层包覆于所述金属锡球的周围，且所述树脂层的厚度小于所述金属锡球的高度。
2.根据权利要求1所述的半导体圆片级封装结构，其特征在于：
还包括形成于所述半导体芯片与所述再配线电极之间的第一保护层。
3.根据权利要求2所述的半导体圆片级封装结构，其特征在于：
还包括形成于所述再配线电极与所述再形成电极层之间的第二保护层。
4.根据权利要求1所述的半导体圆片级封装结构，其特征在于：
所述树脂层的厚度为所述金属锡球高度的二分之一。
5.根据权利要求4所述的半导体圆片级封装结构，其特征在于：
所述金属锡球高出所述树脂层的部分形成用于与外部器件连接的金属锡球端子。
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