[发明专利]阵列基板、显示装置以及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在有源层上方沉积像素电极层以及源漏电极层；

对所述源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极，形成源电极、漏电极。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述像素电极的材料是氧化铟锌。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，利用包括SF₆和Cl₂的混合气体对所述源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在有源层上方沉积像素电极层以及源漏电极层之后，对所述源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极之前，进行：

在所述源漏电极层上方沉积光刻胶层；

使用灰度掩膜版进行曝光，形成光刻胶去除区域、光刻胶全保留区域和光刻胶部分保留区域，所述光刻胶去除区域与所述有源层相对应；

将光刻胶去除区域对应的像素电极层以及源漏电极层刻蚀去除，暴露出有源层；

对光刻胶全保留区域和光刻胶部分保留区域进行灰化处理，去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，暴露出源漏电极层对应于像素电极区域的部分；且

暴露出像素电极之后，形成源电极、漏电极包括：剥离剩余光刻胶，形成像素电极的图形、源电极以及漏电极的图形，所述像素电极与所述漏电极连接。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述将光刻胶去除区域对应的像素电极层以及源漏电极层刻蚀去除包括：使用第一刻蚀液对源漏电极层金属进行湿法刻蚀，使用第二刻蚀液对像素电极层金属进行湿法刻蚀，所述第一刻蚀液的横向刻蚀速度大于第二刻蚀液的横向刻蚀速度。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀液为包括HNO₃、H₂SO₄、CH₃COOH的混合物，所述第二刻蚀液为包括H₂SO₄、CH₃COOH的混合物。

7.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，对所述源漏电极层对应于像素电极区域的源漏电极层进行干法刻蚀，暴露出像素电极之后，剥离剩余光刻胶之前，利用包括SF₆、Cl₂和O₂的混合气体对暴露的有源层进行干法刻蚀，以去除有源层的晶化部分。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括：

形成于基板上的栅电极；

栅电极上方的栅绝缘层以及有源层；

栅绝缘层以及有源层上的像素电极；

形成于像素电极上方的源电极以及漏电极；

形成于源电极、漏电极上的保护层；

形成于保护层上的公共电极，所述像素电极的材料是氧化铟锌，所述源电极、漏电极由源漏电极层刻蚀形成，源漏电极层的对应于像素电极区域的源漏电极层被干法刻蚀暴露形成所述像素电极。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。