[发明专利]留边波浪切高方阻铝金属化膜在审
申请号: | 201410800785.0 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN104465094A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 曹骏骅;吴平 | 申请(专利权)人: | 安徽赛福电子有限公司 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/015 |
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地址: | 244000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波浪 切高方阻铝 金属化 | ||
1.留边波浪切高方阻铝金属化膜,其特征是,包括:
绝缘质地的基膜(1)和位于所述基膜上的金属镀层,所述金属镀层位于所述基膜(1)的一侧,所述基膜(1)的另一侧设置有留边(11),所述留边(11)的边缘侧为波浪切边结构;
所述金属镀层朝向所述留边(11)的一侧为镀层厚度一致的高阻区(21),所述金属镀层背向所述留边(11)的一侧为镀层厚度一致的低阻区(23),所述高阻区(21)的镀层厚度小于所述低阻区(23)的镀层厚度,且所述高阻区(21)和所述低阻区(23)之间设置有镀层厚度渐变的过渡区(22)。
2.如权利要求1所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜,其特征是,所述留边(11)的有效宽度(d)为4毫米~6毫米,所述波浪切边结构为正弦波形,且所述波浪切边的相邻峰顶间距(e)为5毫米~8毫米,所述波浪切边的幅宽(f)为0.5毫米~1.0毫米。
3.如权利要求1或2所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜,其特征是,所述基膜(1)的厚度为4微米~10微米,所述过渡区(22)的宽度(b)小于等于所述低阻区(23)宽度(a)的三分之一,所述过渡区(22)的宽度(b)和所述低阻区(23)的宽度(a)之和为所述高阻区(21)宽度(c)的一半。
4.如权利要求3所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜,其特征是,所述低阻区(23)的阻值为1~3 Ω/口,所述低阻区(23)和所述过渡区(22)的整体阻值为40~120 Ω/口。
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