[发明专利]一种Sb2S3/TiO2纳米管阵列复合单晶异质结的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410802642.3 申请日: 2014-12-22
公开(公告)号: CN104593858A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 杨峰;席金芳;赵勇 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: C30B7/14 分类号: C30B7/14;C30B29/46
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司51200 代理人: 张澎
地址: 610031四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 sb2s3 tio2 纳米 阵列 复合 单晶异质结 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种Sb2S3/TiO2纳米管阵列复合单晶异质结的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:

1).以预先用阳极氧化法制备的TiO2纳米管阵列作为Sb2S3生长的基底;

2).将一定量的分析纯的SbCl3加入到去离子水中并伴着磁力搅拌,制成4mM~10mM的SbCl3水溶液A;

3).将一定量的分析纯的Na2S2O3加入到去离子水中并伴着磁力搅拌,制成8mM~20mM的Na2S2O3水溶液B;

4).分别量取溶液A和溶液B各10mL,并将两种溶液快速混合均匀,形成前驱体溶液C;

5).将前驱体溶液C迅速移入到垂直放有TiO2纳米管阵列的高压釜中,填充度为60%。密封反应釜,将反应釜放于电阻炉中,室温下电阻炉以3℃/min的加热速度至180℃并保温8h,随后让反应釜随炉冷却;

6).打开水热反应釜,取出试样,并依次用大量的无水乙醇、去离子水冲洗。然后自然干燥,得到最终产物Sb2S3/TiO2纳米管阵列复合单晶异质结。

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