[发明专利]拓扑绝缘体可饱和吸收镜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410803388.9 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104466647B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 闫培光;阮双琛;曹广忠 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;H01S3/067 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)44312 | 代理人： | 陈健 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 拓扑 绝缘体 饱和 吸收 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种拓扑绝缘体可饱和吸收镜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将基底及拓扑绝缘体靶材置于真空室；
将所述拓扑绝缘体靶材表面电离化，产生所述拓扑绝缘体的等离子体，所述等离子体沉积在所述基底上形成拓扑绝缘体薄膜，所述拓扑绝缘体薄膜的材料包括碲化铋或硒化铋；
控制沉积时间及/或沉积温度使所述拓扑绝缘体薄膜达到所需厚度。
2.如权利要求1所述的拓扑绝缘体可饱和吸收镜的制备方法，其特征在于，所述基底为石英或碳化硅。
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