[发明专利]一种自适应的字线电压调节型SRAM结构在审
| 申请号： | 201410803745.1 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104464797A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 翁宇飞;李力南;胡玉青 | 申请（专利权）人： | 苏州宽温电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京汇智胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11346 | 代理人： | 魏秀莉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 电压 调节 sram 结构 | ||
1.一种自适应的字线电压调节型SRAM结构，其特征在于，主要包括存储阵列SRAM模块、非易失性存储器NVM模块、以及用于抬高读操作时字线WL的电压值的WL boost电路模块，所述SRAM模块分成多个用于存储数据的Sub-block子块，每个Sub-block子块上分别设有一个WL boost电路模块，所有的Sub-block子块共用一个NVM模块，每个Sub-block子块分别与存储在NVM模块中的一段代码对应，所述WL boost电路模块通过NVM模块中存储的各个Sub-block子块对应的的代码来选择字线WL电压的抬高值。
2.根据权利要求1所述的自适应的字线电压调节型SRAM结构，其特征在于，所述Sub-block子块的字线WL连接在对应的WL boost电路模块上。
3.根据权利要求1或2所述的自适应的字线电压调节型SRAM结构，其特征在于，所述WL boost电路模块通过调节电容C的大小来改变字线WL电压的抬高值。
4.根据权利要求3所述的自适应的字线电压调节型SRAM结构，其特征在于，所述WL boost电路模块通过选通电容的个数来调节电容C的大小。
5.根据权利要求4所述的自适应的字线电压调节型SRAM结构，其特征在于，所述WL boost电路模块通过NVM模块提供多位的代码来控制选通的电容个数。
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