[发明专利]一种在衬底中刻蚀特征的方法有效
| 申请号： | 201410806198.2 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104733304B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 海尤玛·阿什拉夫 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 归莹;张颖玲<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 刻蚀 特征 方法 | ||
1.一种在衬底中刻蚀特征的方法，包括以下步骤：
在所述衬底上形成掩膜结构，所述掩膜结构限定了至少一个凹陷开口，其中所述凹陷开口包括凹陷侧壁，所述凹陷侧壁朝向所述开口的底部向外成锥度；
使用循环刻蚀沉积工艺穿过所述开口刻蚀所述衬底以形成所述特征；以及
去除所述掩膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是半导体衬底。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述衬底是硅衬底。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩膜结构包括第一掩膜和第二掩膜，所述第二掩膜形成在所述第一掩膜的至少一部分上，其中，所述第二掩膜限定了所述凹陷开口。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一掩膜中具有光刻形成的孔，并且所述第二掩膜延伸到所述孔中以限定所述凹陷开口。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二掩膜由聚合材料形成。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述聚合材料是有机聚合材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述有机聚合材料是氟碳聚合物，较优地是全氟碳聚合物。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述有机聚合材料使用C4F8前驱物沉积到所述第一掩膜上。
10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二掩膜通过循环沉积和刻蚀聚合材料来构造。
11.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一掩膜是硬掩膜。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩膜结构由单一掩膜形成，较优地由硬掩膜形成。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述开口的横截面尺寸小于10微米，较优地小于5微米，更较优地小于2微米，并且最优地小于1微米。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩膜结构限定了围绕所述开口的颈部区域，其中，所述颈部区域朝着所述开口向内倾斜。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩膜结构与所述衬底直接接触。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀的所述特征是大深宽比沟槽或通孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
