[发明专利]结点官能化的嵌段共聚物

权利要求书

1.一种含式(Ⅰ)部分的嵌段共聚物：

A-J-B   (Ⅰ)

其中，

A为第一聚合物嵌段；

B为第二聚合物嵌段，其中所述A嵌段和所述B嵌段在化学上不相似；且

J为连接所述A嵌段和所述B嵌段的结点且包含一个或多个静电带电部分。

2.根据权利要求1所述嵌段共聚物，其中所述A嵌段和所述B嵌段各自独立地选自聚((甲基)丙烯酸酯)，聚(苯乙烯)，聚(氧化烯)和聚(硅氧烷)。

3.根据权利要求1-2任一项所述嵌段共聚物，其中J为N-烷基三唑鎓部分。

4.根据权利要求1-3任一项所述嵌段共聚物，其中J为含1-10个静电带电部分的低聚段。

5.根据权利要求1-4任一项所述嵌段共聚物，其中所述A嵌段包括聚((甲基)丙烯酸酯)，聚(苯乙烯)，聚(氧化烯)，聚(2-乙烯基吡啶)或聚(丙交酯)且B嵌段包括聚(硅氧烷)。

6.根据权利要求5所述嵌段共聚物，其中所述A嵌段为聚(甲基丙烯酸甲酯)且B嵌段为聚(二甲基硅氧烷)。

7.根据权利要求1-6任一项所述嵌段共聚物，包含选自由F^-，Cl^-，Br^-，I^-，BF^4-，PF^6-，Tf₂N^-，OTf^-和SbF^6-组成的组的反离子。

8.根据权利要求1-7任一项所述嵌段共聚物，进一步包含第三嵌段。

9.用于形成图案化基底的复合结构，其包含：

基底；和

含在所述基底的至少部分表面上形成的嵌段共聚物材料的层，

其中所述嵌段共聚物包含式(Ⅰ)部分：

A-J-B   (Ⅰ)

其中，

A为第一聚合物嵌段；

B为第二聚合物嵌段，其中所述A嵌段和所述B嵌段在化学上不相似；且

J为连接所述A嵌段和所述B嵌段的结点且包含一个或多个静电带电部分；

其中在处理所述复合结构后，所述基底变为所述图案化基底。

10.根据权利要求9所述复合结构，其中所述基底包含多个材料层。

11.根据权利要求9-10任一项所述复合结构，其中所述A嵌段和所述B嵌段各自独立地选自聚((甲基)丙烯酸酯)，聚(苯乙烯)，聚(氧化烯)和聚(硅氧烷)。

12.根据权利要求9-11任一项所述复合结构，其中J为N-烷基三唑鎓部分。

13.根据权利要求9-12任一项所述复合结构，其中J为含1-10个静电带电部分的低聚段。

14.根据权利要求9-13任一项所述复合结构，其中所述A嵌段包括聚((甲基)丙烯酸酯)，聚(苯乙烯)或聚(氧化烯)，且B嵌段包括聚(硅氧烷)。

15.根据权利要求14所述复合结构，所述A嵌段为聚(甲基丙烯酸甲酯)且B嵌段为聚(二甲基硅氧烷)。

16.用于形成图案化基底的方法，其包括步骤：

(a)提供基底；

(b)在所述基底的至少部分表面上形成含嵌段共聚物的层，其中所述嵌段共聚物包含式(Ⅰ)部分：

A-J-B   (Ⅰ)

其中，

A为第一聚合物嵌段；

B为第二聚合物嵌段，其中所述A嵌段和所述B嵌段在化学上不相似；且

J为连接所述A嵌段和所述B嵌段的结点且包含一个或多个静电带电部分；

(c)使所述层经受刻蚀过程，其中所述刻蚀过程暴露所述基底区域的图案；和

(d)使所述基底材料的区域图案经受第二刻蚀过程，选择所述第二刻蚀过程以使其能够刻蚀蚀刻通过步骤(c)暴露的所述基底层。

17.根据权利要求16所述方法，其中所述图案具有约5nm至约100nm的尺寸特征。

18.根据权利要求16所述方法，进一步包含在基底上退火所述掩模材料。